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1. (WO2016167185) 車載制御装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/167185    国際出願番号:    PCT/JP2016/061469
国際公開日: 20.10.2016 国際出願日: 08.04.2016
H02M 3/155 (2006.01)
出願人: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503 (JP)
発明者: SEKINE Daisuke; (JP)
代理人: TODA Yuji; (JP)
2015-084878 17.04.2015 JP
(JA) 車載制御装置
要約: front page image
(EN)Provided is an in-vehicle control device capable of maintaining function for at least the required portion of the control function of the in-vehicle control device, and ensuring the function of a return MOSFET by suppressing the generation of heat in the return MOSFET, even when the return MOSFET exhibits an open fault. The in-vehicle control device is equipped with a conducting MOSFET (10) for conducting to an inductor, and a return MOSFET (11) having a parasitic diode for returning the energy conducted to the inductor, and is configured so as to detect the temperature of the return MOSFET (11) when a current is flowing through the parasitic diode by using a temperature sensor (22), and decrease the return current flowing to the parasitic diode when the temperature reaches or exceeds a prescribed temperature. Even after the return MOSFET exhibits the open fault, the return current flows through the parasitic diode, and the return current is decreased when the temperature of the return MOSFET reaches or exceeds the prescribed temperature; hence, it is possible to ensure the function of the return MOSFET by suppressing the generation of heat in the return MOSFET.
(FR)L'invention concerne un dispositif de commande embarqué capable de maintenir une fonction pour au moins la partie requise de la fonction de commande du dispositif de commande embarqué, et d'assurer la fonction d'un MOSFET de retour par suppression de la génération de chaleur dans le MOSFET de retour, même lorsque le MOSFET de retour présente un défaut ouvert. Le dispositif de commande embarqué est équipé d'un MOSFET conducteur (10) permettant d'assurer la conduction jusqu'à une bobine d'induction, et d'un MOSFET de retour (11) ayant une diode parasite permettant de renvoyer l'énergie conduite jusqu'à la bobine d'induction, et est conçu de manière à détecter la température du MOSFET de retour (11) lorsqu'un courant passe par la diode parasite à l'aide d'un capteur de température (22), et à diminuer le courant de retour circulant vers la diode parasite lorsque la température atteint ou dépasse une température prescrite. Même après que le MOSFET de retour présente le défaut ouvert, le courant de retour passe par la diode parasite, et le courant de retour est diminué lorsque la température du MOSFET de retour atteint ou dépasse la température prescrite; par conséquent, il est possible d'assurer la fonction du MOSFET de retour par suppression de la génération de chaleur dans le MOSFET de retour.
(JA)還流MOSFETがオープン故障した場合であっても、還流MOSFETの発熱を抑えて還流MOSFETの機能を確保し、少なくとも車載制御装置の制御機能の必要とされる一部の機能を維持することができる車載制御装置を提供する。 インダクタに通電する通電MOSFET(10)と、インダクタの通電エネルギーを還流する寄生ダイオードを有する還流MOSFET(11)とを備え、寄生ダイオードを経由して電流が流れているときの還流MOSFET(11)の温度を温度センサ(22)で検出し、この温度が所定温度以上になると寄生ダイオードに流れる還流電流を減少させる構成とした。還流MOSFETがオープン故障した後も、寄生ダイオードを経由して還流電流を流すと共に、還流MOSFETの温度が所定温度以上になると還流電流を減少するので、還流MOSFETの発熱を抑えて還流MOSFETの機能を確保することができるようになる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)