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1. (WO2016166808) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/166808    国際出願番号:    PCT/JP2015/061425
国際公開日: 20.10.2016 国際出願日: 14.04.2015
IPC:
H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: EBIHARA, Kohei; (JP).
WATANABE, Hiroshi; (JP)
代理人: INABA, Tadahiko; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)When a leak path has formed on the surface of a field insulation film due, inter alia, to absorption of water by a sealing gel or a surface protection film, the field applied to the field insulation film will be kept at or below a given level, which may lead to element breakdown. This semiconductor is provided with a field insulation film formed on the obverse surface of a semiconductor layer, an obverse-surface electrode formed on top of the field insulation film, a second electroconductive well region that extends from the outer peripheral end of the obverse-surface electrode toward the outer peripheral side, an obverse-surface-protection film formed so as to cover the outer peripheral end of the field insulation film and the obverse-surface electrode, a sealing gel formed on the outer peripheral part of the semiconductor layer, and a reverse-surface electrode. The film thickness t[μm] of the field insulation film is represented by t ≥ W2V/300(W1 + W2), where x represents the position of the tip of a depletion layer which spreads when the rated voltage V[V] is applied to the reverse-surface electrode, W1 represents the distance in the outer periphery direction between position x and the outer peripheral edge of the obverse-surface electrode, and W2 represents the distance in the outer periphery direction between position x and the outer peripheral edge of the field insulation film.
(FR)La présente invention concerne, lorsqu'un trajet de fuite s'est formé sur la surface d'un film d'isolation de champ, provoqué, entre autres, par l'absorption d'eau par un gel d'étanchéité ou un film de protection de surface, le champ appliqué au film d'isolation de champ qui sera maintenu à un niveau donné ou moins, ce qui peut entraîner une rupture de l'élément. Le semi-conducteur de l'invention comprend un film d'isolation de champ formé sur la surface faciale d'une couche semi-conductrice, une électrode de surface faciale formée sur le dessus du film d'isolation de champ, une seconde région de puits électro-conductrice qui s'étend depuis l'extrémité périphérique externe de l'électrode de surface faciale vers le côté périphérique externe, un film de protection de surface faciale formé de manière à recouvrir l'extrémité périphérique externe du film d'isolation de champ et l'électrode de surface faciale, un gel d'étanchéité formé sur la partie périphérique externe de la couche semi-conductrice et une électrode de surface inverse. L'épaisseur de film t[μm] du film d'isolation de champ est représentée par t ≥ W2V/300(W1 + W2), où x représente la position de la pointe d'une couche d'appauvrissement qui s'étale lorsque la tension nominale V[V] est appliquée sur l'électrode de surface inverse, W1 représente la distance dans la direction de la périphérie externe entre la position x et le bord périphérique externe de l'électrode de surface faciale et W2 représente la distance dans la direction de la périphérie externe entre la position x et le bord périphérique externe du film d'isolation de champ.
(JA)封止ゲルや表面保護膜が水分を吸収するなどしてフィールド絶縁膜の表面にリークパスができた場合、フィールド絶縁膜にかかる電界を一定以下に抑え、素子破壊に至る場合があった。本発明の半導体装置では、半導体層の表面上に形成されたフィールド絶縁膜と、フィールド絶縁膜に乗り上げて形成された表面電極と、表面電極の外周端よりも外周側に延在する第2導電型のウェル領域と、表面電極およびフィールド絶縁膜の外周端を覆うように形成された表面保護膜と、半導体層の外周部に形成された封止ゲルと、裏面電極とを備え、裏面電極へ定格電圧V[V]印加時に広がる空乏層の先端の位置をxとし、位置xと表面電極の外周端との外周方向の距離をW、位置xとフィールド絶縁膜の外周端との外周方向の距離をWとして、フィールド絶縁膜の膜厚t[μm]がt≧WV/300(W+W)である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)