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1. (WO2016163419) 赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法、赤外線透過部材の製造方法および赤外線透過部材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/163419    国際出願番号:    PCT/JP2016/061300
国際公開日: 13.10.2016 国際出願日: 06.04.2016
IPC:
G02B 5/22 (2006.01)
出願人: KYOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068501 (JP).
SINTER LAND INC. [JP/JP]; 123, Amaike-machi, Nagaoka-shi, Niigata 9402055 (JP).
PROUD INC. [JP/JP]; 6-9, Fudanotsuji 2-chome, Higashi-Omi-shi, Shiga 5270024 (JP)
発明者: MIURA, Kiyotaka; (JP).
FUJIWARA, Kazuki; (JP).
SHIMOTSUMA, Yasuhiko; (JP).
MORISHITA, Kohei; (JP).
SATO, Tomohiro; (JP).
HACHINOHE, Satoru; (JP)
代理人: KAWAMOTO, Takashi; (JP)
優先権情報:
2015-079583 08.04.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PROCESSING Cz-Si FOR INFRARED TRANSMITTING MEMBER, METHOD FOR MANUFACTURING INFRARED TRANSMITTING MEMBER, AND INFRARED TRANSMITTING MEMBER
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE Cz-Si POUR ÉLÉMENT DE TRANSMISSION INFRAROUGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE TRANSMISSION INFRAROUGE, ET ÉLÉMENT DE TRANSMISSION INFRAROUGE
(JA) 赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法、赤外線透過部材の製造方法および赤外線透過部材
要約: front page image
(EN)Provided is a method for processing Cz-Si for an infrared transmitting member, the method involving improvement in infrared transmissivity. The method is provided with: a step for preparing Cz-Si created by a Czochralski method; a step for bringing the Cz-Si into contact with a pressure jig formed from a material principally comprising a conductive material; and a step for applying a current to the press jig to thereby raise, by self-heating, the temperature of the Cz-Si to a target temperature at which a desired infrared transmissivity is obtainable in the vicinity of a wavelength of 9 μm, and applying pressure to the pressure jig to thereby mold the Cz-Si by plastic deformation.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de Cz-Si pour un élément de transmission infrarouge, le procédé améliorant la transmissivité infrarouge. L'invention concerne un procédé de traitement de Cz-Si pour un élément de transmission infrarouge, le procédé améliorant la transmissivité infrarouge. Le procédé comprend: une étape de préparation de Cz-Si créé par un procédé de Czochralski; une étape consistant à placer le Cz-Si au contact d'un gabarit de pression formé d'un matériau comprenant principalement un matériau conducteur; et une étape consistant à appliquer un courant sur le gabarit de presse pour ainsi élever, par auto-chauffage, la température du Cz-Si à une température cible à laquelle une transmissivité infrarouge désirée peut être obtenue dans le voisinage d'une longueur d'onde de 9 µm, et à appliquer une pression sur le gabarit de pression pour ainsi mouler le Cz-Si par déformation plastique.
(JA)赤外線透過率の改善を伴った赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法を提供する。 チョクラルスキー法により作製されたCz-Siを用意する工程と、Cz-Siを、導電性材料を主体とした材料からなる加圧冶具に当接させる工程と、加圧冶具に電流を印加することにより、Cz-Siを、自己発熱により、波長9μm付近において所望の赤外線透過率を得うる目標温度に昇温させるとともに、加圧冶具に圧力を加え、前記Cz-Siを塑性変形により成型する工程と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)