WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016163319) 半導体素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/163319    国際出願番号:    PCT/JP2016/060937
国際公開日: 13.10.2016 国際出願日: 01.04.2016
IPC:
H01L 21/288 (2006.01), C23C 18/16 (2006.01), C23C 18/36 (2006.01), C23C 18/42 (2006.01), C23C 18/52 (2006.01), H01L 21/52 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: SUNAMOTO, Masatoshi; (JP).
UENO, Ryuji; (JP)
代理人: SOGA, Michiharu; (JP)
優先権情報:
2015-077528 06.04.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)In a semiconductor element 1 according to the present invention, an electroless nickel-phosphorus plated layer 4 and an electroless gold plated layer 5 are formed on a front-side electrode 3a and a rear-side electrode 3b of a both-sides conductive substrate 2. The front-side electrode 3a and the rear-side electrode 3b are formed from aluminum or aluminum alloy. The electroless nickel-phosphorus plated layer 4 formed on the front-side electrode 3a has a thickness ratio of not smaller than 1.0 and not greater than 3.5 to the thickness of the electroless nickel-phosphorus plated layer 4 formed on the rear-side electrode 3b. The semiconductor element 1 according to the present invention can prevent the development of holes in solder when mounted by soldering.
(FR)Dans un élément à semi-conducteurs 1 selon la présente invention, une couche plaquée de nickel-phosphore autocatalytique 4 et une couche plaquée d’or autocatalytique 5 sont formées sur une électrode de côté avant 3a et une électrode de côté arrière 3b d’un substrat 2 conducteur des deux côtés. L’électrode de côté avant 3a et l’électrode de côté arrière 3b sont fabriquées en aluminium ou dans un alliage d’aluminium. La couche plaquée de nickel-phosphore autocatalytique 4 formée sur l’électrode de côté avant 3a a un rapport d’épaisseur non inférieur à 1,0 et non supérieur à 3,5 par rapport à l’épaisseur de la couche plaquée de nickel-phosphore autocatalytique 4 formée sur l’électrode de côté arrière 3b. L’élément à semi-conducteurs 1 de la présente invention permet d’empêcher le développement de trous dans la soudure lorsqu’il est monté par soudage.
(JA) 本発明の半導体素子1は、表裏導通型基板2の表側電極3a及び裏側電極3b上に無電解ニッケルリンめっき層4及び無電解金めっき層5が形成されている。表側電極3a及び裏側電極3bは、アルミニウム又はアルミニウム合金から形成されている。また、裏側電極3b上に形成された無電解ニッケルリンめっき層4の厚さに対する表側電極3a上に形成された無電解ニッケルリンめっき層4の厚さの割合は、1.0以上3.5以下である。本発明の半導体素子1は、半田付けによって実装する際に、半田内部に空孔が発生することを防止することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)