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1. (WO2016163157) 炭化珪素単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/163157    国際出願番号:    PCT/JP2016/054395
国際公開日: 13.10.2016 国際出願日: 16.02.2016
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
発明者: UETA, Shunsaku; (JP).
KIMURA, Ren; (JP).
HARADA, Shin; (JP)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2015-080064 09.04.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)A protective film (3) is formed on a first main surface (1a) of a seed substrate (1). A starting material gas (8) is generated by sublimating a starting material (2) in a state where the protective film (3) is formed on the first main surface (1a), and a silicon carbide single crystal (10) is grown by recrystallizing the starting material gas (8) on a second main surface (1b). During the step for growing the silicon carbide single crystal (10), the temperature of the seed substrate (1) is maintained lower than the temperature of the starting material (2). The thickness of the protective film (3) is 0.3 μm or more. The value obtained by dividing the surface area of a unit area region (A1) of the first main surface (1a) when the first main surface (1a) is viewed from the thickness direction of the seed substrate (1) by the surface area of a unit area region (B1) of the second main surface (1b) when the second main surface (1b) is viewed from the thickness direction is from 1.02 to 1.08 (inclusive).
(FR)La présente invention concerne un film protecteur (3) formé sur une première surface principale (1a) d'un substrat semence (1). Un gaz matériau de départ (8) est généré par sublimation d'un matériau de départ (2) sous un état dans lequel le film protecteur (3) est formé sur la première surface principale (1a), et un cristal unique de carbure de silicium (10) est cultivé par recristallisation du gaz matériau de départ (8) sur une seconde surface principale (1b). Durant l'étape de croissance du cristal unique de carbure de silicium (10), la température du substrat semence (1) est maintenue inférieure à la température du matériau de départ (2). L'épaisseur du film protecteur (3) est de 0,3 μm ou plus. La valeur obtenue en divisant la surface d'une région d'unité de surface (A1) de la première surface principale (1a) lorsque la première surface principale (1a) est observée depuis le sens de l'épaisseur du substrat semence (1) par la surface d'une région d'unité de surface (B1) de la seconde surface principale (1b) lorsque la seconde surface principale (1b) est observée depuis le sens de l'épaisseur est de 1,02 à 1,08 (inclus).
(JA) 種基板(1)の第1主面(1a)上に保護膜(3)が形成される。第1主面(1a)上に保護膜(3)が形成された状態で、原料(2)を昇華させることにより原料ガス(8)を発生させ、原料ガス(8)を第2主面(1b)上に再結晶化させることにより、炭化珪素単結晶(10)が成長する。炭化珪素単結晶(10)を成長させる工程において、種基板(1)の温度は、原料(2)の温度よりも低く維持される。保護膜(3)の厚みは、0.3μm以上である。種基板(1)の厚さ方向から第1主面(1a)を見たときの第1主面(1a)の単位面積領域(A1)の表面積を、厚さ方向から第2主面(1b)を見たときの第2主面(1b)の単位面積領域(B1)の表面積で除した値は、1.02以上1.08以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)