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1. (WO2016159385) 半導体装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/159385    国際出願番号:    PCT/JP2016/061049
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 04.04.2016
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: KOYAMA, Hiromi; (JP).
TERANISHI, Hideaki; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
2015-077217 03.04.2015 JP
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)An interlayer insulating film (7), which is formed of a silicon oxide film containing phosphorus such as PSG and BPSG, is provided on a first main surface of an n--type drift layer (1) so as to cover a gate electrode (6) that constitutes a MOS gate structure. A protective film (10) is provided on the surface of the interlayer insulating film (7) so as to cover the interlayer insulating film (7). The protective film (10) is formed of a material that has a smaller diffusion coefficient of mobile ions than the interlayer insulating film (7). A front surface electrode (9) that is in contact with a p-type base region (2) and an n+-type region (3) is provided on the surface of the protective film (10). Diffusion of mobile ions coming into the vicinity of the gate electrode (6) from the front surface electrode (9) side is able to be suppressed by the protective film (10), which is provided between the interlayer insulating film (7) and the front surface electrode (9), so that ionic contamination is able to be prevented. Consequently, a semiconductor device is able to be prevented from breakdowns and operational failures.
(FR)L'invention concerne un film isolant d'intercouche (7), qui est formé d'un film d'oxyde de silicium contenant du phosphore, tel que le PSG et le BPSG, sur une première surface principale d'une couche de dérive de type n-- (1) de manière à recouvrir une électrode de grille (6) qui constitue une structure de grille MOS. Un film protecteur (10) est prévu sur la surface du film isolant d'intercouche (7) de manière à recouvrir le film isolant d'intercouche (7). Le film protecteur (10) est formé d'un matériau qui a un plus petit coefficient de diffusion d'ions mobiles que le film isolant d'intercouche (7). Une électrode de surface avant (9) qui est en contact avec une région de base de type p- (2) et une région de type n+- (3) est prévue sur la surface du film protecteur (10). La diffusion d'ions mobiles s'approchant de l'électrode de grille (6) à partir du côté électrode de surface avant (9) peut être supprimée par le film de protection (10), qui est prévu entre le film isolant d'intercouche (7) et l'électrode de surface avant (9), de sorte que la contamination ionique puisse être empêchée. Par conséquent, les pannes et les défaillances de fonctionnement du dispositif à semi-conducteur peuvent être empêchées.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)