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1. (WO2016159167) シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/159167    国際出願番号:    PCT/JP2016/060535
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 30.03.2016
IPC:
C01B 33/146 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), C09K 3/14 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
出願人: JGC CATALYSTS AND CHEMICALS LTD. [JP/JP]; 580, Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2120013 (JP)
発明者: TAWARAZAKO, Yuji; (JP).
WAKAMIYA, Yoshinori; (JP).
KASHIWADA, Shingo; (JP).
INOUE, Kazuaki; (JP).
NAKAYAMA, Kazuhiro; (JP).
KOMATSU, Michio; (JP)
代理人: MIGITA, Shunsuke; (JP)
優先権情報:
2015-071044 31.03.2015 JP
2015-183942 17.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SILICA-BASED COMPOSITE FINE-PARTICLE DISPERSION, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND POLISHING SLURRY INCLUDING SILICA-BASED COMPOSITE FINE-PARTICLE DISPERSION
(FR) DISPERSION DE PARTICULES FINES COMPOSITES À BASE DE SILICE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT, ET SUSPENSION DE POLISSAGE COMPRENANT LA DISPERSION DE PARTICULES FINES COMPOSITES À BASE DE SILICE
(JA) シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー
要約: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing a silica-based composite fine-particle dispersion with which it is possible to polish silica films, Si wafers, and even hard-to-process materials at high speed, and simultaneously achieve high surface accuracy (such as low scratching), it preferably being possible to use the silica-based composite fine-particle dispersion to polish the surfaces of semiconductor devices such as semiconductor substrates and wiring boards due to the dispersion being free of impurities. The present invention solves the aforementioned problem through a silica-based composite fine-particle dispersion including silica-based composite fine particles in which child particles having crystalline ceria as a main component are bonded to the surface of mother particles having amorphous silica as a main component, the silica-based composite fine particles further having a silica coating that covers the child particles, and being endowed with the following characteristics. The mass ratio of mother particles and child particles is within a specific range. Only a crystalline phase of ceria is detected when the particles are subjected to x-ray diffraction. The crystallite diameter of the crystalline ceria (111) plane (in the vicinity of 2θ = 28°) is within a specific range. The Na content and the like are low. The ratio of the % number of Si atoms to the % number of Ce atoms in the silica coating is within a specific range.
(FR)La présente invention aborde le problème consistant à produire une dispersion de particules fines composites à base de silice au moyen de laquelle il est possible de polir des films de silice, des tranches de SI, et même des matériaux difficiles à traiter à vitesse élevée, et d'obtenir simultanément une haute précision de surface (telle qu'un léger rayage), et de préférence de pouvoir utiliser la dispersion de particules fines composites à base de silice pour polir les surfaces de dispositifs à semi-conducteurs telles que des substrats à semi-conducteurs et des tableaux de connexion du fait que la dispersion est exempte d'impuretés. La présente invention permet de résoudre le problème précité au moyen d'une dispersion de particules fines composites à base de silice comprenant des particules fines composites à base de silice dans lesquelles des particules enfants comportant de l'oxyde de cérium cristallin comme composant principal sont liées à la surface de particules mères contenant de la silice amorphe comme composant principal, les particules fines composites à base de silice comportant en outre un revêtement de silice qui recouvre les particules enfants, et étant dotées des caractéristiques suivantes. Le rapport en masse des particules mères et des particules enfants est compris dans une plage spécifique. Seule une phase cristalline de l'oxyde de cérium est détectée lorsque les particules sont soumises à une diffraction par rayons X. Le diamètre des grains cristallins du plan de l'oxyde de cérium cristallin (111) (environ 2θ = 28°) est compris dans une plage spécifique. La teneur en Na et analogue est faible. Le rapport du nombre d'atomes de Si en % au nombre d'atomes de Ce en % dans le revêtement de silice est compris dans une plage spécifique.
(JA) シリカ膜、Siウェハや、難加工材であっても高速で研磨することができ、同時に高面精度(低スクラッチ等)を達成でき、さらに不純物を含まないため、半導体基板、配線基板などの半導体デバイスの表面の研磨に好ましく用いることができるシリカ系複合微粒子分散液を提供することを課題とする。非晶質シリカを主成分とする母粒子の表面に結晶性セリアを主成分とする子粒子が結合し、さらにそれらを覆うシリカ被膜を有している、下記の特徴を備えるシリカ系複合微粒子を含むシリカ系複合微粒子分散液によって、上記課題を解決する。母粒子と子粒子との質量比が特定範囲であること。X線回折に供するとセリアの結晶相のみが検出されること。結晶性セリアの(111)面(2θ=28度近傍)の結晶子径が特定範囲であること。Na等の含有率が低いこと。シリカ被膜のCe原子数%に対するSi原子数%の比が特定範囲であること。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)