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国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2016/158906 国際出願番号: PCT/JP2016/060029
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 29.03.2016
IPC:
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0216
被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
出願人: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE[JP/JP]; 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi Ibaraki 3050047, JP
発明者: OGURA Atsushi; JP
LEE Hyunju; JP
CHIKYO Toyohiro; JP
代理人: TAKUBO Yasuo; JP
優先権情報:
2015-07185431.03.2015JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池及び太陽電池の製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide: a solar cell comprising a passivation layer, wherein the charge loss at the interface between a p-type semiconductor layer and the passivation layer is suppressed low; and a method for manufacturing a solar cell. [Solution] A solar cell (10) which is provided with: a p-type semiconductor layer (12); an n-type semiconductor layer (14); and a passivation layer (16) that is laminated on the p-type semiconductor layer (12). The passivation layer (16) comprises at least an aluminum oxide layer (18) and an aluminum nitride layer (20), which are sequentially laminated on the p-type semiconductor layer (12) in this order.
(FR) L'invention vise à fournir une cellule solaire comprenant une couche de passivation, et dont la perte de charge au niveau de l'interface entre une couche semi-conductrice de type p et la couche de passivation est réduite à un niveau bas ; et un procédé de fabrication d'une cellule solaire. Pour ce faire, la cellule solaire (10) est pourvue : d'une couche semi-conductrice de type p (12) ; d'une couche semiconductrice de type n (14) ; et d'une couche de passivation (16) qui est stratifiée sur la couche semi-conductrice de type p (12). La couche de passivation (16) comprend au moins une couche d'oxyde d'aluminium (18) et une couche de nitrure d'aluminium (20), qui sont séquentiellement stratifiées sur la couche semi-conductrice de type p (12) dans cet ordre.
(JA) [課題]p型半導体層及びパッシベーション層との界面における電荷損失を低く抑えるパッシベーション層を備える太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供する。[解決手段]太陽電池(10)は、p型半導体層(12)と、n型半導体層(14)と、前記p型半導体層(12)に積層されたパッシベーション層(16)とを備える太陽電池であって、前記パッシベーション層(16)は、前記p型半導体層(12)に対して酸化アルミニウム層(18)、窒化アルミニウム層(20)の順に積層された層を少なくとも有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)