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1. (WO2016158649) マスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/158649    国際出願番号:    PCT/JP2016/059326
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 24.03.2016
IPC:
G03F 1/32 (2012.01), C23C 14/06 (2006.01)
出願人: HOYA CORPORATION [JP/JP]; 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347 (JP)
発明者: SHISHIDO, Hiroaki; (JP).
NOZAWA, Osamu; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; (JP)
優先権情報:
2015-067259 27.03.2015 JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR PRODUCING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE À DÉPHASAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MASQUE À DÉPHASAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A mask blank which comprises a phase shift film on a light-transmitting substrate. This phase shift film comprises: a phase shift layer containing at least a transition metal and silicon; and a silicon layer that attenuates the exposure light to be radiated on the phase shift layer. The silicon layer is formed in contact with the substrate-side surface of the phase shift layer. This mask blank is used for the purpose of producing a phase shift mask to which laser exposure light having a wavelength of 200 nm or less is applied.
(FR)L'invention concerne une ébauche de masque qui comprend un film à déphasage sur un substrat de transmission de lumière. Ce film à déphasage comprend : une couche de déphasage contenant au moins un métal de transition et du silicium; et une couche de silicium qui atténue la lumière d'exposition devant être émise sur la couche à déphasage. La couche de silicium est formée en contact avec la surface côté substrat de la couche à déphasage. Cette ébauche de masque est utilisée à des fins de production d'un masque à déphasage sur lequel est appliquée une lumière d'exposition laser ayant une longueur d'onde inférieure ou égale à 200 nm.
(JA)透光性基板上に、位相シフト膜を備えているマスクブランクである。この位相シフト膜は、少なくとも遷移金属とケイ素を含有する位相シフト層と、該位相シフト層へ照射される露光光を減衰させるケイ素層とを有しており、該ケイ素層は位相シフト層の基板側に接して形成されている。このマスクブランクは、波長200nm以下のレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)