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1. (WO2016158410) 基板処理装置および基板処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/158410    国際出願番号:    PCT/JP2016/058288
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 16.03.2016
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585 (JP)
発明者: OTSUJI, Masayuki; (JP)
代理人: MATSUSAKA, Masahiro; (JP)
優先権情報:
2015-065995 27.03.2015 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約: front page image
(EN)This substrate treatment device is provided with: a substrate holding unit for holding a substrate (9) in a horizontal state; and a treatment solution supply unit for supplying a first treatment solution and a second treatment solution, which has a lower specific gravity and a higher boiling point than the first treatment solution, onto the upper surface (91) of the substrate (9) in order to form on the upper surface (91) of the substrate (9) a first liquid film (71) which is a liquid film of the first treatment solution and a second liquid film (72) which is a liquid film of the second treatment solution covering the upper surface (73) of the first liquid film (71). In this substrate treatment device, the first liquid film (71) is heated at a temperature greater than or equal to the boiling point of the first treatment solution but lower than the boiling point of the second treatment solution, whereby foreign matter on the upper surface (91) of the substrate (9) is removed from the upper surface (91) of the substrate (9) and moved into the second liquid film (72) by the first treatment solution vaporized between the second liquid film (72) and the substrate (9). Consequently, the foreign matter can be properly removed from the substrate (9) while damage to the upper surface (91) of the substrate (9) is suppressed.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat qui est pourvu : d'une unité de maintien de substrat pour maintenir un substrat (9) dans un état horizontal; et d'une unité d'alimentation en solution de traitement pour amener une première solution de traitement et une seconde solution de traitement, qui possède une plus faible densité et un plus haut point d'ébullition que la première solution de traitement, sur la surface supérieure (91) du substrat (9) afin de former, sur la surface supérieure (91) du substrat (9), un premier film liquide (71) qui est un film liquide de la première solution de traitement et un second film liquide (72) qui est un film liquide de la seconde solution de traitement couvrant la surface supérieure (73) du premier film liquide (71). Dans ce dispositif de traitement de substrat, le premier film liquide (71) est chauffé à une température supérieure à ou égale au point d'ébullition de la première solution de traitement mais inférieure au point d'ébullition de la seconde solution de traitement, moyennant quoi des corps étrangers sur la surface supérieure (91) du substrat (9) sont retirés de la surface supérieure (91) du substrat (9) et introduits dans le second film liquide (72) par la première solution de traitement vaporisée entre le second film liquide (72) et le substrat (9). Par conséquent, les corps étrangers peuvent être correctement retirés du substrat (9) tout en supprimant un endommagement de la surface supérieure (91) du substrat (9).
(JA) 基板処理装置は、水平状態に基板(9)を保持する基板保持部と、基板(9)の上面(91)上に第1処理液および第1処理液よりも比重が小さく沸点が高い第2処理液を供給し、第1処理液の液膜である第1液膜(71)、および、第1液膜(71)の上面(73)を覆う第2処理液の液膜である第2液膜(72)を基板(9)の上面(91)上に形成する処理液供給部とを備える。基板処理装置では、第1処理液の沸点以上かつ第2処理液の沸点よりも低い温度にて第1液膜(71)の加熱が行われることにより、第2液膜(72)と基板(9)との間にて気化した第1処理液により、基板(9)の上面(91)上の異物を基板(9)の上面(91)から剥離させて第2液膜(72)内へと移動させる。これにより、基板(9)の上面(91)の損傷を抑制しつつ、基板(9)上から異物を好適に除去することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)