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1. (WO2016158264) 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/158264    国際出願番号:    PCT/JP2016/057352
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 09.03.2016
IPC:
H01L 33/48 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: HIRAO, Naoki; (JP)
代理人: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2015-069261 30.03.2015 JP
発明の名称: (EN) ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)A method for producing an electronic device according to the present invention includes, when transferring one or more element parts from a second substrate to a first substrate: forming some or all of the one or more element parts on the second substrate with a resin layer therebetween; separating the element parts formed on the second substrate from the second substrate by irradiating the resin layer with a laser beam; and arranging the element parts on the first substrate. The resin layer is formed of a resin in which the difference between the glass transition point and the thermal decomposition temperature is 150 ºC or less.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un dispositif électronique consistant à, lors d'un transfert d'une ou de plusieurs parties d'élément provenant d'un second substrat vers un premier substrat : former une partie ou la totalité d'une ou de plusieurs parties d'élément sur le second substrat à l'aide d'une couche de résine entre elles; séparer les parties d'élément formées sur le second substrat à partir du second substrat en exposant la couche de résine à un faisceau laser; et agencer les parties d'élément sur le premier substrat. La couche de résine est formée d'une résine dans laquelle la différence entre le point de transition vitreuse et la température de décomposition thermique est inférieure ou égale à 150 °C.
(JA) 電子デバイスの製造方法は、第1基板上に1または複数の素子部を第2基板から移載する際に、1または複数の素子部のうちの一部または全部の素子部を、第2基板上に樹脂層を介して形成し、第2基板上に形成された素子部を、樹脂層へのレーザ照射により第2基板から剥離して第1基板上に配置し、かつ樹脂層として、ガラス転移点と熱分解温度との差が150度以下である樹脂を用いたものである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)