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1. (WO2016157616) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/157616    国際出願番号:    PCT/JP2015/083340
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 27.11.2015
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: YOSHIDA, Motoru; (JP).
OKABE, Hiroaki; (JP).
SUGAHARA, Kazuyuki; (JP)
代理人: INABA, Tadahiko; (JP)
優先権情報:
2015-066341 27.03.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, said method being characterized by being provided with: a step for forming, by means of a plating method, a Cu wiring electrode (17) on a semiconductor element (18) having a wide bandgap semiconductor as a base material; a reduction step for reducing the Cu wiring electrode (17) under NH3 atmosphere; a heating step for heating the Cu wiring electrode (17) at the same time when performing the reduction step; a step for forming, after the heating step, a diffusion prevention film (11) that covers the Cu wiring electrode (17); and a sealing step for covering the diffusion prevention film (11) with an organic resin film (10).
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs qui est caractéristique en ce qu’il comporte : une étape au cours de laquelle est formée une électrode de câblage au Cu (17) selon un procédé de placage sur un élément à semi-conducteurs (18) ayant un semi-conducteur à large écart énergétique pour matériau de base ; une étape de réduction au cours de laquelle l’électrode de câblage au Cu (17) est soumise à une réduction sous une atmosphère de NH ; une étape de chauffage au cours de laquelle l’électrode de câblage au Cu (17) est chauffée simultanément à l’étape de réduction ; une étape au cours de laquelle est formé un film de prévention de diffusion (11) qui revêt l’électrode de câblage au Cu (17), après l’étape de chauffage ; et une étape d’encapsulation au cours de laquelle le film de prévention de diffusion (11) est revêtu par un film de résine organique.
(JA) ワイドバンドギャップ半導体を基材とする半導体素子(18)の上にめっき法によりCu配線電極(17)を形成する工程と、NH雰囲気下でCu配線電極(17)を還元する還元工程と、還元工程と同時にCu配線電極(17)を加熱する加熱工程と、加熱工程の後にCu配線電極(17)を被覆する拡散防止膜(11)を形成する工程と、拡散防止膜(11)を有機樹脂膜(10)で被覆する封止工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)