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1. (WO2016157606) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/157606    国際出願番号:    PCT/JP2015/082482
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 19.11.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: TANAKA Rina; (JP).
KAGAWA Yasuhiro; (JP).
SUGAWARA Katsutoshi; (JP).
MIURA Naruhisa; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
優先権情報:
2015-068036 30.03.2015 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A first-conductivity-type drift layer (2) comprises silicon carbide. A second-conductivity-type body region (5) is provided on the drift layer (2). A first-conductivity-type source region (3) is provided on the body region (5). A source electrode (11) is connected to the source region (3). A gate insulating film (9) is provided on the side surfaces and the bottom surface of a trench (6) that passes through the body region (5) and the source region (3). A gate electrode (10) is provided inside the trench (6) with the gate insulating film (9) interposed therebetween. A second-conductivity-type trench-bottom-surface protective layer (15) is provided below the bottom surface of the trench (6) within the drift layer (2), and is electrically connected to the source electrode (11). The trench-bottom-surface protective layer (15) has: a high-density protective layer (8); and a first low-density protective layer (7) provided below the high-density protective layer (8) and having a lower impurity density than the high-density protective layer (8).
(FR)Selon l'invention, une couche de migration d'un premier type de conductivité (2) comprend du carbure de silicium. Une zone de corps d'un second type de conductivité (5) est disposée sur la couche de migration (2). Une zone de source du premier type de conductivité (3) est disposée sur la zone de corps (5). Une électrode de source (11) est connectée à la zone de source (3). Un film d'isolation de grille (9) est disposé sur les surfaces latérales et la surface inférieure d'une tranchée (6) qui passe à travers la zone de corps (5) et la zone de source (3). Une électrode de grille (10) est disposée à l'intérieur de la tranchée (6) avec le film isolant de grille (9) intercalé entre elles. Une couche de protection de surface inférieure de tranchée du second type de conductivité (15) est disposée au-dessous de la surface inférieure de la tranchée (6) à l'intérieur de la couche de migration (2), et est connectée électriquement à l'électrode de source (11). La couche de protection de surface inférieure de tranchée (15) comporte : une couche de protection à haute densité (8) ; et une première couche de protection à faible densité (7) disposée au-dessous de la couche de protection à haute densité (8) et ayant une plus faible densité d'impuretés que la couche de protection à haute densité (8).
(JA) 第1導電型のドリフト層(2)は炭化珪素からなる。第2導電型のボディ領域(5)はドリフト層(2)上に設けられている。第1導電型のソース領域(3)はボディ領域(5)上に設けられている。ソース電極(11)はソース領域(3)に接続されている。ゲート絶縁膜(9)は、ボディ領域(5)とソース領域(3)とを貫通するトレンチ(6)の側面上と底面上とに設けられている。ゲート電極(10)はゲート絶縁膜(9)を介してトレンチ(6)内に設けられている。第2導電型のトレンチ底面保護層(15)はドリフト層(2)内においてトレンチ(6)の底面より下方に設けられ、ソース電極(11)に電気的に接続されている。トレンチ底面保護層(15)は、高濃度保護層(8)と、高濃度保護層(8)の下方に設けられ、高濃度保護層(8)よりも不純物濃度の低い第1低濃度保護層(7)とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)