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1. (WO2016157589) 放射線検出器用UBM電極構造体、放射線検出器及びそれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/157589    国際出願番号:    PCT/JP2015/080595
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 29.10.2015
IPC:
H01L 31/00 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/08 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
出願人: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
発明者: MIKAMI Makoto; (JP).
MURAKAMI Kouji; (JP).
NODA Akira; (JP)
代理人: TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.; Sonpo Japan Kamata Building 9F, 5-24-2 Kamata, Ota-ku, Tokyo 1440052 (JP)
優先権情報:
2015-073144 31.03.2015 JP
発明の名称: (EN) UBM ELECTRODE STRUCTURE FOR RADIATION DETECTOR, RADIATION DETECTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DETECTOR AND STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE DE MÉTALLISATION SOUS BOSSE POUR DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT, DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT DÉTECTEUR ET STRUCTURE
(JA) 放射線検出器用UBM電極構造体、放射線検出器及びそれらの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are a UBM electrode structure for a radiation detector having high electrode adhesion strength and minimal peeling, and a radiation detector provided with the UBM electrode structure for a radiation detector. Also provided are: a method for manufacturing a UBM electrode structure for a radiation detector in which peeling does not occur during UBM structure formation, during a solder bonding step, or during bonding of a signal wire to a Pt layer; and a method for manufacturing a radiation detector in which the method for manufacturing a UBM electrode structure for a radiation detector is used. This UBM electrode structure for a radiation detector is provided with a CdTe substrate or a CdZnTe substrate, and a Pt electrode layer disposed on the CdTe substrate or the CdZnTe substrate. The strength of adhesion of the Pt electrode layer on the CdTe substrate or on the CdZnTe substrate is at least 0.5 N/cm.
(FR)L'invention concerne une structure d'électrode de métallisation sous bosse pour un détecteur de rayonnement possédant une haute force d'adhérence d'électrode et un écaillage minimal, et un détecteur de rayonnement doté de la structure d'électrode de métallisation sous bosse pour un détecteur de rayonnement. L'invention concerne également : un procédé de fabrication d'une structure d'électrode de métallisation sous bosse pour un détecteur de rayonnement dans lequel aucun écaillage ne se produit au cours de la formation de la structure de métallisation sous bosse, au cours d'une étape de liaison par brasure tendre, ou au cours d'une liaison d'un fil de signal à une couche de Pt ; et un procédé de fabrication d'un détecteur de rayonnement au cours duquel est utilisé le procédé de fabrication d'une structure d'électrode de métallisation sous bosse pour un détecteur de rayonnement. La structure d'électrode de métallisation sous bosse pour un détecteur de rayonnement est pourvue d'un substrat de CdTe ou d'un substrat de CdZnTe, et d'une couche d'électrode de Pt disposée sur le substrat de CdTe ou sur le substrat de CdZnTe. La force d'adhérence de la couche d'électrode de Pt sur le substrat de CdTe ou sur le substrat de CdZnTe est au moins de 0,5 N/cm.
(JA)電極の密着性が高く、剥離を抑制する放射線検出器用UBM電極構造体、それを備えた放射線検出器を提供する。また、UBM構造形成、半田接合工程、又はPt層への信号線の接合時に剥離が生じない放射線検出器用UBM電極構造体の製造方法及びそれを用いた放射線検出器の製造方法を提供する。本発明の放射線検出器用UBM電極構造体は、CdTe基板又はCdZnTe基板と、前記CdTe基板又は前記CdZnTe基板に配置したPt電極層とを備え、前記CdTe基板又は前記CdZnTe基板に対する前記Pt電極層の密着性が0.5N/cm以上である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)