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1. (WO2016157334) 半導体記憶装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/157334    国際出願番号:    PCT/JP2015/059766
国際公開日: 06.10.2016 国際出願日: 27.03.2015
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: SASAGO Yoshitaka; (JP).
YOSHITAKE Hiroshi; (JP).
KUROTSUCHI Kenzo; (JP).
KOBAYASHI Takashi; (JP)
代理人: SEIRYO I.P.C.; 24-2, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体記憶装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)In this semiconductor storage device, which is formed by film-forming a phase changing material layer on a channel semiconductor layer of a transistor, and which needs to flow a current between the channel semiconductor layer and the phase changing material layer when operating, a surface is nitrided after discontinuously forming a metal layer on the channel semiconductor layer, thereby film-forming an interface layer in contact with both the channel layer and the phase changing material layer. The interface layer has: island-like laminated sections, which are dispersedly and discontinuously formed of the metal layer and nitride metal layer; and a nitride semiconductor layer that is formed in regions having no island-like laminated section. With such configuration, low contact resistance between the channel semiconductor layer and the phase changing material layer, and suppression of mutual diffusion of materials between the channel semiconductor layer and the phase changing material layer are both achieved at one time.
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage à semi-conducteur, qui est formé en formant en un film une couche de matériau à changement de phase sur une couche semi-conductrice de canal d'un transistor, et qui doit faire circuler un courant entre la couche semi-conductrice de canal et la couche de matériau à changement de phase lorsqu'il fonctionne, dont une surface est nitrurée après la formation discontinue d'une couche de métal sur la couche semi-conductrice de canal, ce qui permet de former en un film une couche d'interface en contact à la fois avec la couche de canal et avec la couche de matériau à changement de phase. La couche d'interface comporte : des sections stratifiées en forme d'îlot qui sont formées de manière dispersée et discontinue à partir de la couche de métal et de la couche de métal de nitrure ; et une couche semi-conductrice de nitrure qui est formée dans des régions n'ayant aucune section stratifiée en forme d'îlot. Une telle configuration permet à la fois une faible résistance de contact entre la couche semi-conductrice de canal et la couche de matériau à changement de phase, et la suppression d'une diffusion mutuelle des matériaux entre la couche semi-conductrice de canal et la couche de matériau à changement de phase en une seule fois.
(JA) トランジスタのチャネル半導体層に相変化材料層を成膜して形成し、動作の際にチャネル半導体層と相変化材料層の間に電流を流す必要がある半導体記憶装置において、チャネル半導体層上に不連続に金属層を形成した後に表面窒化を行なう。これにより、チャネル層と相変化材料層の双方に接する界面層が成膜される。この界面層は、分散して不連続に形成された、金属層と窒化金属層のアイランド状積層部と、このアイランド状積層部の無い領域に形成された窒化半導体層とを有する。このような構成により、チャネル半導体層と相変化材料層の間の低接触抵抗と、チャネル半導体層と相変化材料層の間の材料の相互拡散の抑制を両立させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)