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1. (WO2016047615) 光電変換装置および光電変換モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047615    国際出願番号:    PCT/JP2015/076736
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 18.09.2015
IPC:
H01L 31/0352 (2006.01), B82Y 20/00 (2011.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
発明者: NINOMIYA,Hisakazu; (JP).
KUBO,Shintaro; (JP).
NAKAYAMA,Toru; (JP)
優先権情報:
2014-193937 24.09.2014 JP
2014-219343 28.10.2014 JP
2014-262680 25.12.2014 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE
(FR) DISPOSITIF ET MODULE DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置および光電変換モジュール
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a photoelectric conversion device and a photoelectric conversion module wherein the carrier collection capability is higher and hence the density of short-circuit current can be enhanced. [Solution] A photoelectric conversion device comprises: a quantum dot integration part 1; a base part layer 3 that is disposed on at least one of the main surfaces of the quantum dot integration part 1 and that has a current collecting property; and a plurality of carrier collection parts 5 that extend from the base part layer 3 into the quantum dot integration part 1 and that are pillar-shaped and have respective open ends. Each of the carrier collection parts 5 is mainly made from a metallic oxide, and a near-open-end part 5a thereof has a higher molar ratio of oxygen to metal than a main body part 5b that is the part of the carrier collection part 5 other than the near-open-end part 5a. The carrier collection part 5 contains, as sub-component, one type of substance which is selected from a group of Li, Na, K, Ga, B and Al and the content of which is one to five atomic percent.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif de conversion photoélectrique et un module de conversion photoélectrique dont la capacité de collecte d'onde porteuse est plus élevée et, par conséquent, dont la densité de courant de court-circuit peut être améliorée. La solution selon l’invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique qui comprend : une partie d'intégration de points quantiques (1) ; une couche de partie de base (3) qui est disposée sur au moins l'une des surfaces principales de la partie d'intégration de points quantiques (1) et qui a une propriété de collecte de courant ; et une pluralité de parties de collecte d'onde porteuse (5) qui s'étendent de la couche de partie de base (3) jusque dans la partie d'intégration de points quantiques (1) et qui sont en forme de pilier et ont des extrémités ouvertes respectives. Chacune des parties de collecte d'onde porteuse (5) est principalement constituée d'un oxyde métallique, et une partie d'extrémité ouverte proche (5a) de celle-ci a un rapport molaire de l'oxygène sur le métal plus élevé qu'une partie de corps principal (5b) qui est la partie de la partie de collecte d'onde porteuse (5) autre que la partie d'extrémité ouverte proche (5a). La partie de collecte d'onde porteuse (5) contient, en tant que sous-composant, un type de substance qui est choisie dans un groupe comprenant Li, Na, K, Ga, B et Al et dont la teneur représente de un à cinq pour cent atomique.
(JA) 【課題】 キャリアの収集能力が高く、これにより短絡電流密度を高めることのできる光電変換装置および光電変換モジュールを提供する。 【解決手段】 量子ドット集積部1と、量子ドット集積部1の少なくとも一方主面に配置された集電性を有する基部層3と、該基部層3から量子ドット集積部1内に延伸し、開放端を有してなる柱状をした複数のキャリア収集部5とを備えており、該キャリア収集部5が金属酸化物を主体とするものであり、開放端の近傍部5aは、該開放端の近傍部5a以外の本体部5bよりも金属に対する酸素のモル比が高い。キャリア収集部5は、副成分として、Li、Na、K、Ga、BおよびAlの群から選ばれる1種を含んでおり、その含有量が1~5原子%である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)