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1. (WO2016047577) 発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047577    国際出願番号:    PCT/JP2015/076627
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 18.09.2015
IPC:
H05B 33/02 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01), H05B 33/12 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01), H05B 33/28 (2006.01)
出願人: CHEMICAL MATERIALS EVALUATION AND RESEARCH BASE [JP/JP]; Chuo 5-2, 1-1, Higashi 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3058565 (JP).
KANAZAWA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 7-1, Ohgigaoka, Nonoichi-shi, Ishikawa 9218501 (JP)
発明者: KURODA, Kazuo; (JP).
MIKAMI, Akiyoshi; (JP).
TANAMURA, Mitsuru; (JP)
代理人: OKADA, Kenji; (JP)
優先権情報:
2014-195969 26.09.2014 JP
発明の名称: (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子
要約: front page image
(EN)The present invention improves light extraction efficiency by taking reflected evanescent light on a transparent substrate side into account and reducing surface plasmon loss in a reflective electrode. The present invention is a light-emitting element L-5 provided with a plasmon loss reduction layer 8-5 that is stacked between a transparent electrode 3-5 and a transparent substrate 4-5 and that separates the intensity distributions of the following in the stacking direction of the light-emitting element L-5 from each other in said stacking direction: reflected evanescent light on the transparent substrate 4-5 side, said reflected evanescent light being generated as a result of evanescent light from a dipole that is excited by a light-emitting layer 22-5 being reflected at the interface of the transparent substrate 4-5 on the transparent electrode 3-5 side thereof; and reflected evanescent light on a reflective electrode 1-5 side, said reflected evanescent light being generated as a result of evanescent light from the dipole that is excited by the light-emitting layer 22-5 being reflected at the interface of the reflective electrode 1-5 on an organic layer side thereof.
(FR)La présente invention améliore l'efficacité d'extraction de lumière en prenant en compte la lumière évanescente réfléchie sur un côté substrat transparent et en réduisant la perte de plasmon de surface dans une électrode réfléchissante. La présente invention concerne un élément électroluminescent (L-5) pourvu d'une couche de réduction de perte de plasmon (8-5) qui est empilée entre une électrode transparente (3-5) et un substrat transparent (4-5) et qui sépare les distributions d'intensité des éléments suivants dans la direction d'empilement de l'élément électroluminescent (L-5) les uns des autres dans ladite direction d'empilement : la lumière évanescente réfléchie sur le côté substrat transparent (4-5), ladite lumière évanescente réfléchie étant générée en conséquence de la réflexion d'une lumière évanescente provenant d'un dipôle qui est excité par une couche électroluminescente (22-5) au niveau de l'interface du substrat transparent (4-5) sur son côté électrode transparente (3-5); et la lumière évanescente réfléchie sur un côté électrode réfléchissante (1-5), ladite lumière évanescente réfléchie étant générée en conséquence de la réflexion de la lumière évanescente provenant du dipôle qui est excité par la couche électroluminescente (22-5) au niveau de l'interface de l'électrode réfléchissante (1-5) sur son côté couche organique.
(JA) 本発明は、透明基板側の反射エバネッセント光を考慮したうえで、反射電極における表面プラズモン損失を軽減することにより、光の取り出し効率を向上させる。 本発明は、発光層22-5で励起された双極子からのエバネッセント光が透明基板4-5の透明電極3-5側の界面で反射されることにより生成された透明基板4-5側の反射エバネッセント光と、発光層22-5で励起された双極子からのエバネッセント光が反射電極1-5の有機層側の界面で反射されることにより生成された反射電極1-5側の反射エバネッセント光と、の発光素子L-5の積層方向における強度分布を、発光素子L-5の積層方向において互いに引き離す、透明電極3-5と透明基板4-5の間に積層されているプラズモン損失軽減層8-5、を備える発光素子L-5である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)