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1. (WO2016047534) SiC層を備えた半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047534    国際出願番号:    PCT/JP2015/076364
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 16.09.2015
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: AIR WATER INC. [JP/JP]; 2, Kita 3-jo Nishi 1-chome, Chuo-ku, Sapporo-shi Hokkaido 0600003 (JP)
発明者: ASAMURA, Hidetoshi; (JP).
KAWAMURA, Keisuke; (JP)
代理人: TSUBAKI, Yutaka; (JP)
優先権情報:
2014-193781 24.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH SiC LAYER
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ÉQUIPÉ D'UNE COUCHE DE SIC
(JA) SiC層を備えた半導体装置
要約: front page image
(EN)The present invention increases pressure resistance in the longitudinal direction of a semiconductor device while ensuring semiconductor device quality. This semiconductor device is equipped with a Si (silicon) substrate, a SiO2 (silicon oxide) layer formed on a surface of the Si substrate, a Si layer formed on a surface of the SiO2 layer, and a SiC (silicon carbide) layer formed atop a surface of the Si layer. The thickness of the SiO2 layer is not less than 1 µm and does not exceed 20 µm.
(FR)La présente invention augmente la résistance à la pression dans une direction longitudinale d'un dispositif semiconducteur tout en garantissant la qualité du dispositif semiconducteur. Ce dispositif semiconducteur est pourvu d'un substrat en Si (silicium), d'une couche de SiO2 (oxyde de silicium) formée sur une surface du substrat en Si, d'une couche de Si formée sur une surface de la couche de SiO2 et d'une couche de SiC (carbure de silicium) formée sur une surface de la couche de Si. L'épaisseur de la couche de SiO2 n'est pas inférieure à 1 µm et ne dépasse pas 20 µm.
(JA) 半導体装置の品質を確保しつつ、半導体装置の縦方向の耐圧を高める。 半導体装置は、Si(シリコン)基板と、Si基板の表面に形成されたSiO2(酸化シリコン)層と、SiO2層の表面に形成されたSi層と、Si層の表面上に形成されたSiC(炭化シリコン)層とを備えている。SiO2層の厚さは、1μm以上20μm以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)