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1. (WO2016047493) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047493    国際出願番号:    PCT/JP2015/076101
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 15.09.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), C23C 14/10 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 16/14 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: MURAMATSU, Makoto; (JP).
TOMITA, Tadatoshi; (JP).
GENJIMA, Hisashi; (JP).
YOU, Gen; (JP).
KITANO, Takahiro; (JP)
代理人: KANEMOTO, Tetsuo; (JP)
優先権情報:
2014-194167 24.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS, SUPPORT DE STOCKAGE INFORMATIQUE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
(JA) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
要約: front page image
(EN)This substrate processing method is a method for processing a substrate with use of a block copolymer that contains a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer, and comprises: a resist pattern formation step (S3) for forming a predetermined resist pattern on a substrate by means of a resist film; a thin film formation step (S4) for forming, on the surface of the resist pattern, a thin film for suppressing deformation of the resist pattern; a block copolymer application step (S5) for applying a block copolymer to the substrate after the thin film formation; and a polymer separation step (S6) for subjecting the block copolymer to phase separation into a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement de substrats, destiné à traiter un substrat en utilisant un copolymère à blocs qui contient un polymère hydrophile et un polymère hydrophobe, et qui comporte: une étape (S3) de formation de motif de réserve consistant à former un motif de réserve prédéterminé sur un substrat au moyen d'un film de réserve; une étape (S4) de formation de film mince consistant à former, sur la surface du motif de réserve, un film mince servant à contrecarrer la déformation du motif de réserve; une étape (S5) d'application de copolymère à blocs consistant à appliquer un copolymère à blocs au substrat après la formation du film mince; et une étape (S6) de séparation de polymère consistant à soumettre le copolymère à blocs à une séparation par phases en un polymère hydrophile et un polymère hydrophobe.
(JA) 本発明の基板処理方法は、親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する基板処理方法であって、基板上にレジスト膜により所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程(S3)と、レジストパターンの表面に、当該レジストパターンの変形を抑制するための薄膜を形成する薄膜形成工程(S4)と、薄膜形成後の基板に対してブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程(S5)と、ブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程(S6)と、を有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)