WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016047455) 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047455    国際出願番号:    PCT/JP2015/075728
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 10.09.2015
IPC:
H03K 17/08 (2006.01), H02H 3/093 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
出願人: HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. [JP/JP]; 2-2, Omika-cho 5-chome, Hitachi-shi, Ibaraki 3191221 (JP)
発明者: HORIUCHI Keisuke; (JP).
INABA Masamitsu; (JP).
KAWASE Daisuke; (JP).
SAITO Katsuaki; (JP)
代理人: POLAIRE I.P.C.; 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025 (JP)
優先権情報:
2014-196129 26.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR POWER MODULE AND SEMICONDUCTOR DRIVE DEVICE
(FR) MODULE DE PUISSANCE À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'EXCITATION À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor power module that is capable of highly accurately detecting overcurrent, and reliably protecting a semiconductor switching element from overcurrent. This semiconductor power module is provided with: a negative electrode terminal 11b and a positive electrode terminal 11a; and an IGBT having an emitter electrode electrically connected to the negative electrode terminal 11b, and a collector electrode electrically connected to the positive electrode terminal 11a. From an auxiliary emitter terminal 3d that detects the potential of the emitter electrode, and an auxiliary negative electrode terminal 3f that detects the potential of the negative electrode terminal 11b, a detection voltage corresponding to a self-inductance L2 due to the negative electrode terminal 11b, a mutual inductance M12 between the negative electrode terminal 11b and the positive electrode terminal 11a, and a change of a current flowing in the emitter electrode are outputted, the detection voltage is used for the purpose of overcurrent protection of the IGBT, and the mutual inductance M12 is used in the overcurrent protection.
(FR)L'invention concerne un module de puissance à semiconducteur capable de détecter une surintensité avec une grande précision, et de protéger de façon fiable un élément de commutation à semiconducteur contre les surintensités. Le présent module de puissance à semiconducteur comporte: une borne 11b d'électrode négative et une borne 11a d'électrode positive; et un IGBT doté d'une électrode d'émetteur reliée électriquement à la borne 11b d'électrode négative, et d'une électrode de collecteur reliée électriquement à la borne 11a d'électrode positive. À partir d'une borne auxiliaire 3d d'émetteur qui détecte le potentiel de l'électrode d'émetteur, et d'une borne auxiliaire 3f d'électrode négative qui détecte le potentiel de la borne 11b d'électrode négative, une tension de détection correspondant à une self-inductance L2 due à la borne 11b d'électrode négative, une inductance mutuelle M12 entre la borne 11b d'électrode négative et la borne 11a d'électrode positive, et une variation d'un courant circulant dans l'électrode d'émetteur sont obtenues, la tension de détection est utilisée aux fins de protection de l'IGBT contre les surintensités, et l'inductance mutuelle M12 est utilisée dans la protection contre les surintensités.
(JA) 過電流を高精度に検出して、半導体スイッチング素子を確実に過電流から保護することができる半導体パワーモジュールを提供する。 負極端子11bおよび正極端子11aと、負極端子11bと電気的に接続されるエミッタ電極および正極端子11aと電気的に接続されるコレクタ電極を有するIGBTとを備える半導体パワーモジュールにおいて、エミッタ電極の電位を検出する補助エミッタ端子3dと、負極端子11bの電位を検出する補助負極端子3fとからは、負極端子11bによる自己インダクタンスLと、負極端子11bと正極端子11aとの間の相互インダクタンスM12と、エミッタ電極に流れる電流の変化とに応じた検出電圧が出力され、検出電圧がIGBTの過電流保護に用いられ、過電流保護において相互インダクタンスM12が用いられる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)