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1. (WO2016047386) 窒化物半導体発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047386    国際出願番号:    PCT/JP2015/074698
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 31.08.2015
予備審査請求日:    11.03.2016    
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: TANI, Yoshihiko; .
HANAMOTO, Tetsuya; .
WATANABE, Masanori; .
KURISU, Akihiro; .
IGUCHI, Katsuji; .
KASHIHARA, Hiroyuki; .
INOUE, Tomoya; .
ASAI, Toshiaki; .
WATANABE, Hirotaka;
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2014-192670 22.09.2014 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
要約: front page image
(EN)A nitride semiconductor light-emitting element (1) according to the present invention comprises at least an n-type nitride semiconductor layer (8), a light-emitting layer (14), and a p-type nitride semiconductor layer (16). A multilayered structural body (120) is provided between the n-type nitride semiconductor layer (8) and the light-emitting layer (14), the multilayered structural body (120) having at least one set of layered structures of at least a first semiconductor layer (121) and a second semiconductor layer (122). The band-gap energy of the second semiconductor layer (122) is greater than the band-gap energy of the first semiconductor layer (121). The thickness of each the first semiconductor layer (121) and the second semiconductor layer (122) is greater than 10 nm and at most 30 nm. Alternatively, in applications requiring luminous efficiency at room temperature, the thickness of the first semiconductor layer (121)is greater than 10 nm and at most 30 nm and the thickness of the second semiconductor layer (122) is greater than 10 nm and at most 40 nm, and a V-shaped concave portion is formed in a cross section view of the light emitting-layer.
(FR)La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure (1) comprenant au moins une couche semi-conductrice au nitrure de type n (8), une couche électroluminescente (14), et une couche semi-conductrice au nitrure de type p (16). Un corps structurel multicouche (120) est prévu entre la couche semi-conductrice au nitrure de type n (8) et la couche électroluminescente (14), le corps structurel multicouche (120) ayant au moins un ensemble de structures en couches d'au moins une première couche semi-conductrice (121) et une seconde couche semi-conductrice (122). L'énergie de bande interdite de la seconde couche semi-conductrice (122) est supérieure à l'énergie de bande interdite de la première couche semi-conductrice (121). L'épaisseur de chacune de la première couche semi-conductrice (121) et de la seconde couche semi-conductrice (122) est supérieure à 10 nm et elle ne dépasse pas 30 nm. Dans un autre mode de réalisation, dans des applications nécessitant un rendement lumineux à température ambiante, l'épaisseur de la première couche semi-conductrice (121) est supérieure à 10 nm et elle ne dépasse pas 30 nm et l'épaisseur de la seconde couche semi-conductrice (122) est supérieure à 10 nm et elle ne dépasse pas 40 nm, et une partie concave en forme de V est formée dans une vue en coupe transversale de la couche électroluminescente.
(JA)窒化物半導体発光素子(1)は、n型窒化物半導体層(8)と、発光層(14)と、p型窒化物半導体層(16)とを少なくとも備える。n型窒化物半導体層(8)と発光層(14)との間には、少なくとも第1半導体層(121)と第2半導体層(122)との積層構造を1組以上有する多層構造体(120)が設けられている。第2半導体層(122)のバンドギャップエネルギーは、第1半導体層(121)のバンドギャップエネルギーよりも大きい。第1半導体層(121)及び第2半導体層(122)の各々の厚さが10nmよりも大きく30nm以下である。あるいは、室温での発光効率を重視する用途では、第1半導体層(121)の厚さが10nmよりも大きく30nm以下であり、第2半導体層(122)の厚さが10nmよりも大きく40nm以下であり、発光層には、その断面視において、V字型の凹部が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)