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1. (WO2016047282) 撮像素子、撮像装置および撮像素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047282    国際出願番号:    PCT/JP2015/072304
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 06.08.2015
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
発明者: YANAGITA, Takeshi; (JP).
TATESHITA, Yasushi; (JP).
OTA, Kazunobu; (JP)
代理人: MARUSHIMA, Toshikazu; (JP)
優先権情報:
2014-193497 24.09.2014 JP
発明の名称: (EN) IMAGE-CAPTURING ELEMENT, IMAGE-CAPTURING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGE-CAPTURING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE, DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 撮像素子、撮像装置および撮像素子の製造方法
要約: front page image
(EN) The present invention improves image quality. In this image-capturing element, the spacing between adjacent light-receiving elements on the light-receiving surface of the image-capturing element is changed in accordance with the positions of the light-receiving elements. In addition, the image-capturing element is manufactured according to a method for manufacturing image-capturing elements in which photodiodes are layered by repeatedly carrying out a silicon epitaxial step and an ion injection step. In addition, the image-capturing element is manufactured according to a method for manufacturing image-capturing elements in which the layering is performed and the spacing between adjacent photodiodes on the light-receiving surface of the image-capturing element is changed in each layer in accordance with the positions of the photodiodes on the light-receiving surface.
(FR) La présente invention améliore la qualité d'image. Dans un élément de capture d'image selon l'invention, l'espacement entre éléments de réception de lumière adjacents sur la surface de réception de lumière de l'élément de capture d'image varie en fonction des positions des éléments de réception de lumière. En outre, l'élément de capture d'image est fabriqué selon un procédé de fabrication d'éléments de capture d'image dans lequel des photodiodes sont stratifiées, par exécution répétée d'une étape d'épitaxie de silicium et d'une étape d'injection d'ions. En outre, l'élément de capture d'image est fabriqué selon un procédé de fabrication d'éléments de capture d'image dans lequel la stratification est effectuée et l'espacement entre photodiodes adjacentes sur la surface de réception de lumière de l'élément de capture d'image varie dans chaque couche en fonction des positions des photodiodes sur la surface de réception de lumière.
(JA) 画質を向上させる。 撮像素子は、この撮像素子の受光面において隣接する受光素子間の間隔がその受光面における位置に応じて変更されている撮像素子である。また、この撮像素子は、シリコンエピタキシャル工程とイオン注入工程とを繰り返し行うことによりフォトダイオードを積層化する撮像素子の製造方法により製造される撮像素子である。また、この撮像素子は、その積層化とともに、その撮像素子の受光面において隣接するフォトダイオード間の間隔をその受光面における位置に応じて各層で変更する撮像素子の製造方法により製造される撮像素子である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)