WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016047259) チップ抵抗器及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047259    国際出願番号:    PCT/JP2015/070866
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 22.07.2015
IPC:
H01C 1/142 (2006.01), H01C 7/00 (2006.01)
出願人: KOA CORPORATION [JP/JP]; 3672, Arai, Ina-shi, Nagano 3960025 (JP)
発明者: MATSUMOTO Kentaro; (JP)
代理人: THE PATENT BODY CORPORATE TAKEWA INTERNATIONAL PATENT OFFICE; Nishishimbashi Bldg., 13-3, Nishishimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2014-195607 25.09.2014 JP
2014-197236 26.09.2014 JP
発明の名称: (EN) CHIP RESISTOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) RÉSISTANCE PAVÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) チップ抵抗器及びその製造方法
要約: front page image
(EN)To provide a chip resistor which is suitable for decrease of the initial resistance. A chip resistor 1 according to the present invention is provided with: an insulating substrate 2; a pair of front electrodes 3 which are provided on the surface of the insulating substrate 2 so as to face each other at a predetermined distance; a resistor 4 which is provided so as to bridge the front electrodes 3; a pair of auxiliary electrodes 5 which are provided so as to cover the front electrodes 3 and overlap the end portions of the resistor 4; and the like. This chip resistor 1 is configured such that: the front electrodes 3 are formed of a material that contains 1-5 wt% of Pd with the balance made up of Ag; and the auxiliary electrodes 5 are formed of a material that contains Pd and a metal material having a lower resistivity than Pd (for example, Au) in an amount of 15-30 wt% with the balance made up of Ag.
(FR)L'invention a pour but de fournir une résistance pavé qui soit appropriée pour une diminution de la résistance initiale. La présente invention concerne une résistance pavé 1 qui comprend : un substrat isolant 2 ; une paire d'électrodes avant 3 qui sont disposées sur la surface du substrat isolant 2 de manière à se faire face à une distance prédéterminée ; une résistance 4 qui est disposée de manière à ponter les électrodes avant 3 ; une paire d'électrodes auxiliaires 5 qui sont disposées de manière à recouvrir les électrodes avant 3 et à chevaucher les parties d'extrémité de la résistance 4 ; et autres. Cette résistance pavé 1 est configurée de la manière suivante : les électrodes avant 3 sont formées d'un matériau qui contient de 1 à 5 % en poids de Pd, le reste étant constitué d'Ag ; et les électrodes auxiliaires sont formées d'un matériau qui contient Pd et un matériau métallique ayant une résistivité inférieure à celle de Pd (par exemple, Au) en une quantité de 15 à 30 % en poids, le reste étant constitué d'Ag.
(JA) 初期抵抗値を下げるのに好適なチップ抵抗器を提供すること。本発明のチップ抵抗器1は、絶縁基板2と、絶縁基板2の表面に所定間隔を存して対向するように設けられた一対の表電極3と、これら表電極3を橋絡するように設けられた抵抗体4と、表電極3を覆って抵抗体4の端部に重なるように設けられた一対の補助電極5等を備えており、表電極3がPdを1~5wt%含んで残部をAgとする材料からなると共に、補助電極5がPdとそれより比抵抗の低い金属材料(例えばAu)を15~30wt%含んで残部をAgとする材料からなるという構成にした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)