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1. (WO2016047255) 弾性波装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047255    国際出願番号:    PCT/JP2015/070408
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 16.07.2015
IPC:
H03H 9/25 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01)
出願人: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP).
MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
発明者: KADOTA, Michio; (JP).
TANAKA, Shuji; (JP)
代理人: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
優先権情報:
2014-196608 26.09.2014 JP
発明の名称: (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
要約: front page image
(EN)Provided is an elastic wave device that utilizes a plate wave in a SH0 mode, has superior mechanical strength, has a high impedance ratio for a one-port resonator, and obtains a wide frequency band. This elastic wave device (1) utilizes a plate wave in a SH0 mode, has IDT electrodes (7) provided on a first main surface of an LiNbO3 substrate (6), has a multilayer acoustic reflection film (3) provided on a second main surface thereof, and is provided with a supporting substrate (2) on the side of the multilayer acoustic reflection film (3) opposite the LiNbO3 substrate (6). The multilayer acoustic reflection film (3) has a structure wherein low acoustic impedance films (4a-4c) and high acoustic impedance films (5a-5c) are alternately stacked. The number of layers in the multilayer acoustic reflection film (3) is between 4 and 10. When the acoustic impedance of the high acoustic impedance films is Z1 and the acoustic impedance of the low acoustic impedance films is Z2, and the acoustic impedance ratio (Z1/Z2) is greater than 1 but less than 2, the film thickness of the high acoustic impedance films and the low acoustic impedance films is within the area (A1) enclosed by the solid lines (A) in Figure 13, when the acoustic impedance ratio (Z1/Z2) is 2-3, the film thickness of the high acoustic impedance films and the low acoustic impedance films is within the area (B1) enclosed by the solid lines (B) in Figure 14, and when the acoustic impedance ratio (Z1/Z2) is greater than 3 but no greater than 7, the film thickness of the high acoustic impedance films and the low acoustic impedance films is within the area (C1) enclosed by the solid lines (C) in Figure 15.
(FR)L'invention fournit un dispositif à ondes élastiques qui met en œuvre des ondes de Lamb en mode SHO, qui présente une excellente résistance mécanique, dont le rapport d'impédance d'un résonateur à un accès est élevé, et qui permet de réaliser une large gamme d'accord. Le dispositif à ondes élastiques (1) de l'invention met en œuvre des ondes de Lamb en mode SHO, et présente : une électrode de transducteur interdigital (7) agencée sur une première face principale d'un substrat LiNbO3 (6) ; un film multicouche de réflexion acoustique (3) agencé sur une seconde face principale ; et un substrat de support (2) agencé sur le côté du film multicouche de réflexion acoustique (3) se trouvant opposé au substrat LiNbO3 (6). Le film multicouche de réflexion acoustique (3) possède une structure dans laquelle sont stratifiés en alternance des films à faible impédance acoustique (4a à 4c) et des films à haute impédance acoustique (5a à 5c). Le nombre de couches de stratification dans le film multicouche de réflexion acoustique (3), est supérieur ou égal à 4 et inférieur ou égal à 10. Lorsque l'impédance acoustique des films à haute impédance acoustique est représentée par Z1, et que celle des films à faible impédance acoustique est représentée par Z2, alors le rapport d'impédance acoustique Z1/Z2 est supérieur à 1. Lorsque le rapport d'impédance acoustique Z1/Z2 est inférieur à 2, l'épaisseur des films à haute impédance acoustique et celle des films à faible impédance acoustique, est comprise à l'intérieur d'une région A1 entourée par un trait plein A représenté sur la figure 13, lorsque ce rapport est supérieur ou égal à 2 et inférieur ou égal à 3, ladite épaisseur est comprise à l'intérieur d'une région B1 entourée par un trait plein B représenté sur la figure 14, et lorsque ce rapport est supérieur à 3 et inférieur ou égal à 7, ladite épaisseur est comprise à l'intérieur d'une région C1 entourée par un trait plein C représenté sur la figure 15.
(JA) SH0モードの板波を利用しており、機械的強度に優れ、1ポート共振子のインピーダンス比が高く、広帯域化を図り得る弾性波装置を提供する。 SH0モードの板波を利用しており、LiNbO基板6の第1の主面にIDT電極7が設けられており、第2の主面に多層音響反射膜3が設けられており、該多層音響反射膜3のLiNbO基板6とは反対側に支持基板2が設けられている、弾性波装置1。多層音響反射膜3は、低音響インピーダンス膜4a~4cと、高音響インピーダンス膜5a~5cとを交互に積層した構造を有する。多層音響反射膜3における積層数は4層以上、10層以下である。高音響インピーダンス膜の音響インピーダンスをZ1、低音響インピーダンス膜の音響インピーダンスをZ2としたときに、音響インピーダンス比Z1/Z2が1より大きく、2未満の場合には、高音響インピーダンス膜の膜厚及び低音響インピーダンス膜の膜厚が、図13に示す実線Aで囲まれた領域A1内にあり、音響インピーダンス比Z1/Z2が2以上、3以下の場合には、図14に示す実線Bで囲まれた領域B1内にあり、音響インピーダンス比Z1/Z2が3より大きく、7以下の場合には、図15に示す実線Cで囲まれた領域C1内にある。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)