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1. (WO2016047186) 超音波トランスデューサ、その製造方法、超音波トランスデューサアレイ及び超音波検査装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047186    国際出願番号:    PCT/JP2015/062135
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 21.04.2015
IPC:
H04R 19/00 (2006.01), A61B 8/00 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G01N 29/24 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01), H04R 31/00 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: MACHIDA, Shuntaro; (JP).
RYUZAKI, Daisuke; (JP).
NAGATA, Tatsuya; (JP).
YAMASHITA, Naoaki; (JP).
HANAOKA, Yuko; (JP).
YOSHIMURA, Yasuhiro; (JP)
代理人: SANNOZAKA PATENT LAW FIRM; 4th Yasuda Building 9F, 26-2, Tsuruyacho 2-chome, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210835 (JP)
優先権情報:
2014-196805 26.09.2014 JP
発明の名称: (EN) ULTRASONIC TRANSDUCER, METHOD FOR MAKING SAME, ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY, AND ULTRASONIC TEST APPARATUS
(FR) TRANSDUCTEUR À ULTRASONS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, RÉSEAU DE TRANSDUCTEURS À ULTRASONS, ET APPAREIL D'ESSAI À ULTRASONS
(JA) 超音波トランスデューサ、その製造方法、超音波トランスデューサアレイ及び超音波検査装置
要約: front page image
(EN)Provided are a structure and a method for making the same, said structure being capable of suppressing the bow of a board on which a CMUT has been formed without affecting a film arrangement that has been optimized so as to maintain the characteristics of the CMUT and further suppress the distortion of a membrane. A board bow prevention structure is provided to an area or position other than the area or position of a membrane that determines CMUT characteristics. For example, a bow prevention layer for preventing the board bow is formed, as the bow prevention structure, between the board and a first conductive film in the CMUT having a structure in which a first conductive layer and a second conductive layer are formed, on the board, with a cavity therebetween. If an insulating film located between the cavity and the first conductive film as well as another insulating film located between the cavity and a second conductive film are silicon oxide films, the bow prevention layer includes a silicon nitride film.
(FR)L'invention concerne une structure et son procédé de fabrication, ladite structure permettant de supprimer la courbure d'une carte sur laquelle a été formé un CMUT sans affecter un agencement de film qui a été optimisé de sorte à maintenir les caractéristiques du CMUT et de supprimer en outre la distorsion d'une membrane. Une structure de prévention de courbure de carte est disposée dans une zone ou position autre que la zone ou position d'une membrane qui détermine des caractéristiques de CMUT. Par exemple, une couche de prévention de courbure permettant d'empêcher la courbure de carte est formée, en tant que structure de prévention de courbure, entre la carte et un premier film conducteur dans le CMUT ayant une structure dans laquelle sont formées une première couche conductrice et une seconde couche conductrice, sur la carte, une cavité se trouvant entre elles. Si un film isolant situé entre la cavité et le premier film conducteur ainsi qu'un autre film isolant situé entre la cavité et un second film conducteur sont des films d'oxyde de silicium, la couche de prévention de courbure comprend un film de nitrure de silicium.
(JA) CMUTの特性を保ち且つメンブレンの歪みを抑制するように最適化した膜構成に影響を与えることなく、CMUTを形成した基板の反りの抑制できる構造とその製造方法を提供する。 CMUTの特性を決定するメンブレン以外の領域或いは位置に、基板の反り防止構造を設ける。反り防止構造として、例えば、基板上に、空洞部を挟んで第一導電層と第二導電層とを設けた構造のCMUTにおいて、基板と第一導電膜との間に、基板の反りを防止する反り防止層を設ける。空洞部と第一導電膜との間及び空洞部と第二導電膜反との間に配置される絶縁膜がシリコン酸化膜の場合、反り防止層は、シリコン窒化膜を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)