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1. (WO2016047184) 成膜方法およびスパッタリング装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047184    国際出願番号:    PCT/JP2015/061238
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 10.04.2015
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP)
発明者: SETOGUCHI, Yoshitaka; (JP).
KISHIDA, Shigeaki; (JP).
ANDO, Yasunori; (JP)
優先権情報:
2014-196266 26.09.2014 JP
発明の名称: (EN) DEPOSITION METHOD AND SPUTTERING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) 成膜方法およびスパッタリング装置
要約: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to prevent deposition of an uneven film at the start or end of film deposition without having to install a movement mechanism for a target. This sputtering device generates inductively coupled plasma (22) by supplying high-frequency power (PR) to an antenna (20) provided in a vacuum vessel (2) into which a gas (10) is introduced, and uses the plasma (22) and a target bias voltage (VT) to sputter a target (30) and deposit a film on a substrate (12). At the start of film deposition, the target bias voltage (VT) is applied to the target (30) to initiate sputtering after the high-frequency power (PR) has been supplied to the antenna (20) and the plasma (22) has been generated, and at the end of film deposition, the target bias voltage (VT) applied to the target (30) is stopped to stop sputtering, after which the high-frequency power (PR) supplied to the antenna (20) is stopped to quench the plasma (22).
(FR)La présente invention a pour objet d'empêcher le dépôt d'un film inégal au début ou à la fin d'un dépôt de film sans avoir à installer un mécanisme de déplacement pour une cible. À cet effet, l'invention concerne un dispositif de pulvérisation cathodique produisant un plasma à couplage inductif (22) par l'alimentation électrique à haute fréquence (PR) d'une antenne (20) disposée dans un récipient sous vide (2) dans lequel un gaz (10) est introduit et utilisant le plasma (22) et une tension de polarisation de cible (VT) pour pulvériser une cible (30) et déposer un film sur un substrat (12). Au début du dépôt de film, la tension de polarisation de cible (VT) est appliquée à la cible (30) pour amorcer la pulvérisation cathodique après l'alimentation électrique à haute fréquence (PR) de l'antenne (20) et la production de plasma (22) et à la fin du dépôt de film, la tension de polarisation de cible (VT) appliquée à la cible (30) est arrêtée pour arrêter la pulvérisation cathodique, après quoi l'alimentation électrique à haute fréquence (PR) de l'antenne (20) est arrêtée pour tremper le plasma (22).
(JA) ターゲットの移動機構を設けることなく、成膜の開始時および終了時に不均質な膜が形成されることを抑制する。このスパッタリング装置は、ガス10が導入される真空容器2内に設けられたアンテナ20に高周波電力PR を供給して誘導結合型のプラズマ22を発生させ、当該プラズマ22とターゲットバイアス電圧VT とを用いて、ターゲット30をスパッタさせて基板12上に成膜を行うものである。成膜の開始時は、アンテナ20に高周波電力PR を供給してプラズマ22を発生させた後に、ターゲット30にターゲットバイアス電圧VT を印加してスパッタリングを開始し、成膜の終了時は、ターゲット30に印加していたターゲットバイアス電圧VT を止めてスパッタリングを停止した後に、アンテナ20に供給していた高周波電力PR を止めてプラズマ22を消滅させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)