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1. (WO2016047013) スパッタリング装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/047013    国際出願番号:    PCT/JP2015/003575
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 15.07.2015
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
発明者: YAMAMOTO, Hiroki; (JP).
NANBA, Takahiro; (JP).
KAMII, Masaatsu; (JP).
KOHARI, Shinji; (JP).
KONDO, Tomoyasu; (JP).
MORIMOTO, Naoki; (JP)
代理人: SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 9th Fl., Saisho Bldg., 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
優先権情報:
2014-193608 24.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PULVERISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリング装置
要約: front page image
(EN)Provided is a sputtering device whereby an insulator film having improved crystallinity can be formed with good uniformity of film thickness distribution. This sputtering device SM comprises a stage 2 holding a substrate W that is caused to face an insulator target 4 and processed, inside a vacuum chamber 1 having the insulator target provided therein. The sputtering device SM has provided therein: a drive means 3 that rotates and drives the stage; sputter power sources E1 that provide high frequency power to the insulator target; and gas introduction means 13, 14 that introduce inert gas to inside the vacuum chamber. The interval d3 between the substrate and the insulator target sputter surface is set to 40-150 mm.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de pulvérisation cathodique grâce auquel un film isolant ayant une cristallinité améliorée peut être formée avec une bonne uniformité de distribution d'épaisseur de film. Ce dispositif de pulvérisation cathodique SM comporte un étage 2 pour le support d'un substrat W qui est amené à être en regard d'une cible isolante 4 et traité, à l'intérieur d'une chambre à vide 1, contenant la cible isolante qui y est prévue. Le dispositif de pulvérisation cathodique SM comporte à l'intérieur: un moyen d'entraînement 3 qui tourne et entraîne l'étage; des sources d'alimentation de pulvérisation cathodique qui fournissent une puissance haute fréquence à la cible isolante; et des moyens d'introduction de gaz 13, 14 qui introduisent un gaz inerte à l'intérieur de la chambre à vide. L'intervalle d3 entre le substrat et la surface de pulvérisation de la cible isolante est réglée entre 40 et 150 mm.
(JA) 結晶性が一層向上した絶縁物膜をその膜厚分布の均一性よく成膜することができるスパッタリング装置を提供する。 絶縁物ターゲット4が設けられる真空チャンバ1内にこの絶縁物ターゲットに対向させて処理すべき基板Wを保持するステージ2を備え、ステージを回転駆動する駆動手段3と、絶縁物ターゲットに高周波電力を投入するスパッタ電源E1と、真空チャンバ内に希ガスを導入するガス導入手段13,14とを設けた本発明のスパッタリング装置SMは、基板と絶縁物ターゲットのスパッタ面との間の間隔d3を40mm~150mmの範囲に設定した。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)