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1. (WO2016046983) 結晶成長方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/046983    国際出願番号:    PCT/JP2014/075717
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 26.09.2014
IPC:
C30B 11/02 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: ISHITSU Takafumi; (JP).
KOMINAMI Shinya; (JP).
UENO Yuichiro; (JP).
KANDA Takayuki; (JP)
代理人: ISONO INTERNATIONAL PATENT OFFICE, P.C.; Hulic Toranomon Building, 1-18, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD OF CRYSTAL GROWTH
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX
(JA) 結晶成長方法
要約: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing a highly efficient method of crystal growth which highly purifies a semiconductor crystal material and with which high-purity high-quality crystals can be isolated. A method of crystal growth comprises the following steps performed in the following order in the same container: a refining step (S1) of placing a crystalline material (1) in a tubular container (2) that is closed at one end and substantially leveling the tubular container (2), then sequentially moving a portion of the crystalline material (1) placed in the tubular container (2) and melted into a belt shape from one end to the other end in a substantially horizontal direction to segregate impurities contained in the crystalline material (1) to the other end of the crystalline material (1); a separating step (S2) of partially melting the crystalline material (1) in which the impurities have been segregated to separate the same into a refined material (11) with less impurities and an impure material (12) with more impurities; and a crystal growth step (3) of cooling the refined material (11) after melting the same with the impure material separated in a solidified state and growing crystals in the container (2) positioned substantially vertical.
(FR)La présente invention aborde le problème consistant à fournir un procédé hautement efficace de croissance de cristaux qui purifie hautement un matériau cristallin semi-conducteur et avec lequel des cristaux de haute qualité et de haute pureté peuvent être isolés. Un procédé de croissance de cristaux comprend les étapes suivantes exécutées dans l'ordre suivant dans le même récipient : une étape de raffinage (S1) consistant à placer un matériau cristallin (1) dans un récipient tubulaire (2) qui est fermé au niveau d'une extrémité et à niveler le récipient tubulaire (2), puis à déplacer séquentiellement une partie du matériau cristallin (1) placé dans le récipient tubulaire (2) et fondu en une forme de ceinture depuis une extrémité vers l'autre extrémité dans une direction sensiblement horizontale afin de ségréger des impuretés contenues dans le matériau cristallin (1) à l'autre extrémité du matériau cristallin (1) ; une étape de séparation (S2) consistant à fondre partiellement le matériau cristallin (1) dont les impuretés ont été ségrégées afin de le séparer en un matériau raffiné (11) contenant moins d'impuretés et un matériau impur (12) contenant plus d'impuretés ; et une étape de croissance de cristaux (3) consistant à refroidir le matériau raffiné (11) après l'avoir fait fondre, le matériau impur en ayant été séparé dans un état solidifié, et faire croître des cristaux dans le récipient (2) positionné de manière sensiblement verticale.
(JA) 半導体結晶の原料の高純度化を行うと共に、高純度で質の高い結晶として単離可能である高効率の結晶成長方法を提供することを課題とする。結晶性原料(1)を一端が閉ざされた管状容器(2)に収容し前記管状容器(2)を略水平にした後、前記管状容器(2)に収容した前記結晶性原料(1)の一端から他端へ帯状に溶融させた部分を略水平方向に順次移動させて前記結晶性原料(1)に含まれる不純物を前記結晶性原料(1)の前記他端に偏析させる精製工程(S1)と、不純物を偏析させた前記結晶性原料(1)を部分融解して不純物の少ない精製原料(11)と不純物の多い不純原料(12)とに分離する分離工程(S2)と、略垂直方向にした前記容器(2)内において、前記不純原料は凝固状態で分離したまま前記精製原料(11)は溶融状態とした後冷却して結晶を成長させる結晶成長工程(S3)と、をこの順に同一の容器で行うことを特徴とする結晶成長方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)