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1. (WO2016046872) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/046872    国際出願番号:    PCT/JP2014/075023
国際公開日: 31.03.2016 国際出願日: 22.09.2014
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: OKUNO Takahiro; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A first conductivity-type semiconductor substrate (7) is provided with a surface (SF) having four corners (CN). The surface (SF) has a main portion (PM), and a peripheral portion (PP) surrounding the main portion (PM). The peripheral portion (PP) has an outer peripheral portion (PPo), and an end portion (PPt) surrounding the outer peripheral portion (PPo). The end portion (PPt) has four corner portions (PC) positioned at the corners (CN), respectively. A main impurity region (2) is provided in the main portion (PM), and has a second conductivity-type and one area. A plurality of sub-impurity regions (1) are separated from each other, and are provided in at least two corner portions (PC), respectively, by being separated from the main impurity region (2), said sub-impurity regions having the second conductivity-type and a total area that is smaller than the one area. On the surface (SF), a main electrode (6) is in contact with the main impurity region (2), and is separated from the sub-impurity regions (1). A peripheral electrode (41) is in contact with each of the sub-impurity regions (1).
(FR)L'invention concerne un substrat semiconducteur (7) ayant un premier type de conductivité et pourvu d'une surface (SF) ayant quatre coins (CN). La surface (SF) possède une partie principale (PM) et une partie périphérique (PP) entourant la partie principale (PM). La partie périphérique (PP) possède une partie périphérique extérieure (PPo) et une partie d'extrémité (PPt) entourant la partie périphérique extérieure (PPo). La partie d'extrémité (PPt) possède quatre parties de coin (PC) respectivement positionnées au niveau des coins (CN). Une région d'impureté principale (2) se trouve dans la partie principale (PM) et possède un deuxième type de conductivité et une aire. Une pluralité de sous-régions d'impureté (1) sont séparées les unes des autres et sont respectivement réalisées dans au moins deux parties de coin (PC) en étant séparées de la région d'impureté principale (2), lesdites sous-régions d'impureté possédant le deuxième type de conductivité et une aire totale qui est plus petite que la première aire. Sur la surface (SF), une électrode principale (6) est en contact avec la région d'impureté principale (2) et est séparée des sous-régions d'impureté (1). Une électrode périphérique (41) est en contact avec chacune des sous-régions d'impureté (1).
(JA) 第1の導電型の半導体基板(7)には、4つの角(CN)を有する表面(SF)が設けられている。表面(SF)は、主部(PM)と、主部(PM)を囲む周辺部(PP)とを有する。周辺部(PP)は、外周部(PPo)と、外周部(PPo)を囲む終端部(PPt)とを有する。終端部(PPt)は、角(CN)のそれぞれに位置する4つの角部(PC)を有する。主不純物領域(2)は、主部(PM)に設けられ、第2の導電型を有し、一の面積を有する。複数の副不純物領域(1)は、互いに離れており、角部(PC)の少なくとも2つのそれぞれに主不純物領域(2)から離れて設けられており、第2の導電型を有し、上記一の面積よりも小さい総面積を有する。主電極(6)は、表面(SF)上において主不純物領域(2)に接しており、副不純物領域(1)から離れている。周辺電極(41)は副不純物領域(1)の各々に接している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)