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1. (WO2016043247) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/043247    国際出願番号:    PCT/JP2015/076370
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 16.09.2015
IPC:
H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: KITAMURA, Shoji; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
優先権情報:
2014-189477 17.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN) In a termination structure part, a p-type electric-field-attenuating region (20) is provided between first and second JTE regions (4, 5) so as to be in contact with the regions. The first and second JTE regions (4, 5) are provided in a concentric configuration enclosing the outer circumference of an active region starting from the inside. The impurity concentration of the second JTE region (5) is less than the impurity concentration of the first JTE region (4). For the electric-field-attenuating region (20), a first small region (21) and a second small region (22) are repeatedly disposed in alternating fashion in a direction (Y) tangent to the outer circumference of the active region. The average impurity concentration of the electric-field-attenuating region (20) is greater than the impurity concentration of the first JTE region (4) and less than the impurity concentration of the second JTE region (5). The impurity concentration of the first small region (21) is the same as the impurity concentration of the first JTE region (4). The impurity concentration of the second small region (22) is the same as the impurity concentration of the second JTE region (5). The first small region (21) and the second small region (22) are charge balanced. The above configuration makes it possible to improve the pressure resistance of the termination structure part.
(FR) Dans une partie de structure de terminaison, une région (20) d'atténuation de champ électrique de type p est prévue entre une première et une deuxième région JTE (4, 5) de manière à être en contact avec ces régions. Les première et deuxième régions JTE (4, 5) présentent une configuration concentrique entourant la circonférence extérieure d'une région active à partir de l'intérieur. La concentration en impuretés de la deuxième région JTE (5) est inférieure à celle de la première région JTE (4). Pour la région (20) d'atténuation de champ électrique, une première petite région (21) et une deuxième petite région (22) sont placées de façon répétée en alternance dans une direction (Y) tangente à la circonférence extérieure de la région active. La concentration moyenne en impuretés de la région (20) d'atténuation de champ électrique est supérieure à la concentration en impuretés de la première région JTE (4), et inférieure à celle de la deuxième région JTE (5). La concentration en impuretés de la première petite région (21) est identique à celle de la première région JTE (4). La concentration en impuretés de la deuxième petite région (22) est identique à celle de la deuxième région JTE (5). La première petite région (21) et la deuxième petite région (22) sont équilibrées en charge. La configuration décrite ci-dessus permet d'améliorer la résistance à la pression de la partie de structure de terminaison.
(JA) 終端構造部に、内側から順に、活性領域の周囲を囲む同心円状に設けられた第1,2JTE領域(4,5)間には、当該領域に接するようにp型の電界緩和領域(20)が設けられている。第2JTE領域(5)の不純物濃度は、第1JTE領域(4)の不純物濃度よりも低い。電界緩和領域(20)は、第1小領域(21)と第2小領域(22)とを活性領域の外周の接線方向(Y)に交互に繰り返し配置してなる。電界緩和領域(20)の平均不純物濃度は、第1JTE領域(4)の不純物濃度よりも高く、かつ第2JTE領域(5)の不純物濃度よりも低い。第1小領域(21)の不純物濃度は、第1JTE領域(4)の不純物濃度と等しい。第2小領域(22)の不純物濃度は、第2JTE領域(5)の不純物濃度と等しい。第1小領域(21)と第2小領域(22)とはチャージバランスである。このようにすることで、終端構造部の耐圧を向上させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)