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1. (WO2016043233) 有機半導体装置の製造方法、表面処理方法、化合物および有機半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/043233    国際出願番号:    PCT/JP2015/076345
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 16.09.2015
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), C08G 61/12 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
出願人: RIKEN [JP/JP]; 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198 (JP)
発明者: TAKIMIYA Kazuo; (JP).
NAKANO Masahiro; (JP)
代理人: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
優先権情報:
2014-188183 16.09.2014 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, SURFACE TREATMENT METHOD, COMPOUND AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE, COMPOSÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体装置の製造方法、表面処理方法、化合物および有機半導体装置
要約: front page image
(EN)While it is known that only an n-type semiconductor property is obtained by forming an injection blocking layer for hole carriers of CsF on a semiconductor layer in a semiconductor device including an ambipolar-type organic semiconductor, there has been a possibility that the organic semiconductor layer is damaged in the process of forming the injection blocking layer. A method for manufacturing an organic semiconductor comprises: a step for preparing a gate insulating layer; a step for forming a self-assembled monolayer on one surface of the gate insulating layer; and a step for forming a semiconductor layer including an ambipolar-type organic semiconductor on a surface of the self-assembled monolayer on which the gate insulating layer is not provided. The self-assembled monolayer keeps one of a p-type semiconductor property or an n-type semiconductor property of the ambipolar-type organic semiconductor activated while deactivating the other.
(FR)Bien qu'il soit reconnu que seule une propriété semi-conductrice du type n est obtenue par la formation d'une couche de blocage d'injection pour des porteurs de trous de CsF sur une couche de semi-conducteur, dans un dispositif semi-conducteur comprenant un semi-conducteur organique du type ambipolaire, il existe une possibilité que la couche de semi-conducteur organique soit endommagée dans le processus de formation de la couche de blocage d'injection. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur organique qui comprend les étapes suivantes : la préparation d'une couche d'isolation de grille ; la formation d'une mono-couche auto-assemblée sur une surface de la couche d'isolation de grille ; la formation d'une couche de semi-conducteur comprenant un semi-conducteur organique du type ambipolaire sur une surface de la mono-couche auto-assemblée sur laquelle la couche d'isolation de grille n'est pas située. La mono-couche auto-assemblée garde activée soit une propriété semi-conductrice du type p, soit une propriété semi-conductrice du type n du semi-conducteur organique du type ambipolaire tout en désactivant la propriété qui n'est pas gardée activée.
(JA) アンバイポーラ型有機半導体を含む半導体装置において、CsFのホールキャリアの注入阻止層を半導体層上に形成することでn型半導体特性のみが得られることが知られているが、注入阻止層形成の過程で、有機半導体層にダメージを与えるおそれがあった。有機半導体の製造方法であって、ゲート絶縁層を準備するステップと、ゲート絶縁層の一方の面に、自己組織化単分子層を形成するステップと、自己組織化単分子層のゲート絶縁層が設けられていない側の面に、アンバイポーラ型有機半導体を含む半導体層を形成するステップと、を含み、自己組織化単分子層により、アンバイポーラ型有機半導体のp型半導体特性およびn型半導体特性の何れか一方を活性させたままにし、他方を失活させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)