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1. (WO2016043192) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/043192    国際出願番号:    PCT/JP2015/076176
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 15.09.2015
IPC:
H03K 17/687 (2006.01), H03K 17/10 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
発明者: IKEDA, Kentaro; .
MOCHIKAWA, Hiroshi; .
KUZUMAKI, Atsuhiko;
代理人: IKEGAMI, Tetsuma; (JP)
優先権情報:
2014-190932 19.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device according to one embodiment of the present invention is provided with: a first normally-off transistor which comprises a first source, a first drain, a first gate and a first body diode; a second normally-off transistor which comprises a second source that is connected to the first source, a second drain, a second gate that is connected to the first gate and a second body diode; a normally-on transistor which comprises a third source that is connected to the first drain, a third drain and a third gate that is connected to the second drain; and a diode which comprises an anode that is connected to the second drain and a cathode that is connected to the third drain.
(FR)Selon un mode de réalisation de la présente invention, ce dispositif à semi-conducteur est pourvu : d'un premier transistor à enrichissement ("normally off transistor"), qui comprend une premier source, un premier drain, une première grille et une première diode de corps ; d'un second transistor à enrichissement, qui comprend une seconde source qui est connectée à la première source, un second drain, une seconde grille qui est connectée à la première grille, ainsi qu'une seconde diode de corps ; d'un transistor à déplétion ("normally on transistor"), qui comprend une troisième source qui est connectée au premier drain, un troisième drain, ainsi qu'une troisième grille qui est connectée au second drain ; et d'une diode qui comprend une anode qui est connectée au second drain et une cathode qui est connectée au troisième drain.
(JA) 実施形態の半導体装置は、第1のソース、第1のドレイン、第1のゲート、及び第1のボディダイオードを有する第1のノーマリーオフ型トランジスタと、第1のソースに接続される第2のソース、第2のドレイン、第1のゲートに接続される第2のゲート、及び第2のボディダイオードを有する第2のノーマリーオフ型トランジスタと、第1のドレインに接続される第3のソース、第3のドレイン、及び第2のドレインに接続される第3のゲートを有するノーマリーオン型トランジスタと、第2のドレインに接続されるアノードと、第3のドレインに接続されるカソードを有するダイオードと、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)