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1. (WO2016043039) R-T-B系焼結磁石の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/043039    国際出願番号:    PCT/JP2015/074777
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 31.08.2015
IPC:
H01F 41/02 (2006.01), B22F 3/00 (2006.01), B22F 3/24 (2006.01), C21D 6/00 (2006.01), C22C 33/02 (2006.01), C22C 38/00 (2006.01), H01F 1/057 (2006.01), H01F 1/08 (2006.01)
出願人: HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 2-70, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088224 (JP)
発明者: SATOH, Teppei; (JP).
KUNIYOSHI, Futoshi; (JP).
ISHII, Rintaro; (JP).
YAMAGATA, Ryouichi; (JP)
代理人: SAMEJIMA, Mutsumi; (JP)
優先権情報:
2014-188836 17.09.2014 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING R-T-B-BASED SINTERED MAGNET
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'AIMANT FRITTÉ À BASE DE R-T-B
(JA) R-T-B系焼結磁石の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for producing a R-T-B-based sintered magnet, the method including: 1) a step for preparing a R-T-B-based sintered magnet raw material which is obtained by sintering a molded body, contains 27.5-34.0 mass % of R, 0.85-0.93 mass % of B, 0.20-0.70 mass % of Ga, more than 0.2 mass % but not more than 0.50 mass % of Cu, 0.05-0.5 mass % of Al and 0-0.1 mass % of M, with the remainder comprising T and unavoidable impurities, and satisfies formulae (1) and (2); 2) a high temperature heat treatment step for heating the R-T-B-based sintered magnet raw material at a temperature of 730-1020°C and then cooling to 300°C at a cooling rate of 5ºC/minute or greater; and 3) a low temperature heat treatment step, following the high temperature heat treatment step, for heating the R-T-B-based sintered magnet raw material at a temperature of 440-550°C. Formula (1): [T]-72.3[B] > 0 Formula (2): ([T]-72.3[B])/55.85 < 13[Ga]/69.72 (Here, [T] denotes the content of T in terms of mass %, [B] denotes the content of B in terms of mass %, and [Ga] denotes the content of Ga in terms of mass %.)
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un aimant fritté à base de R-T-B, le procédé comprenant : 1) une étape consistant à préparer une matière première d'aimant fritté à base de R-T-B qui est obtenue par frittage d'un corps moulé, contient 27,5 à 34,0 % en masse de R, de 0,85 à 0,93 % en masse de B, de 0,20 à 0,70 % en masse de Ga, plus de 0,2 % en masse mais pas plus de 0,50 % en masse de Cu, de 0,05 à 0,5 % en masse d'Al et de 0 à 0,1 % en masse de M, le reste comprenant T et des impuretés inévitables, et satisfait les formules (1) et (2); 2) une étape de traitement thermique à haute température consistant à chauffer la matière première d'aimant fritté à base R-T-B de à une température de 730 à 1020 °C et à refroidir ensuite jusqu'à 300 °C à une vitesse de refroidissement de 5 °C/minute ou plus; et 3) une étape de traitement thermique à basse température, à la suite de l'étape de traitement thermique à haute température, consistant à chauffer la matière première d'aimant fritté à base de R-T-B à une température de 440 à 550 °C. Formule (1) : [T] - 72,3[B] > 0; Formule (2) : ([T] - 72,3[B])/55,85 < 13[Ga]/69,72 (dans les formules, [T] représente la teneur en T en termes de % en masse, [B] représente la teneur en B en termes de % en masse, et [Ga] représente la teneur en Ga en termes de % en masse).
(JA) 1)成形体を焼結し、27.5質量%以上、34.0質量%以下のRと、0.85質量%以上、0.93質量%以下のBと、0.20質量%以上、0.70質量%以下のGaと、0.2質量%より多く、0.50質量%以下のCuと、0.05質量%以上、0.5質量%以下のAlと、0質量%以上、0.1質量%以下のMと、を含有し、残部がTおよび不可避不純物であり、式(1)および(2)を満足するR-T-B系焼結磁石素材を準備する工程と、 2)R-T-B系焼結磁石素材を730℃以上1020℃以下の温度に加熱後、5℃/分以上で300℃まで冷却する高温熱処理工程と 3)高温熱処理工程後のR-T-B系焼結磁石素材を440℃以上550℃以下の温度に加熱する低温熱処理工程と、を含むR-T-B系焼結磁石の製造方法である。 [T]-72.3[B]>0 (1) ([T]-72.3[B])/55.85<13[Ga]/69.72 (2) (なお、[T]は質量%で示すTの含有量であり、[B]は質量%で示すBの含有量であり、[Ga]は質量%で示すGaの含有量である)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)