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1. (WO2016042962) 半導体装置の製造方法および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/042962    国際出願番号:    PCT/JP2015/073156
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 18.08.2015
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), B23K 26/351 (2014.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: USAMI Yoshihisa; (JP).
TAKAHASHI Kouki; (JP).
MAEHARA Yoshiki; (JP).
NAKAMURA Seigo; (JP)
代理人: WATANABE Mochitoshi; (JP)
優先権情報:
2014-190135 18.09.2014 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約: front page image
(EN)The challenge addressed by the invention is to provide a manufacturing method with which it is possible to manufacture a semiconductor device having a plurality of organic semiconductor elements, using a simple process and with high productivity, and a semiconductor device. This challenge is resolved by: forming, on an insulating substrate, electrodes corresponding to a plurality of semiconductor elements, in which the position of an uppermost portion of a source electrode and a drain electrode is higher than a gate electrode; forming an organic semiconductor film on a surface of an insulating support plate; forming grooves in the organic semiconductor film to form divided regions corresponding to each individual semiconductor element; and aligning and stacking on one another the insulating support plate and the insulating substrate.
(FR)L'objet de l'invention est de fournir un procédé de fabrication au moyen duquel il est possible de fabriquer un dispositif à semiconducteur ayant une pluralité d'éléments semiconducteurs organiques, à l'aide d'un procédé simple et avec une productivité élevée, et un dispositif à semiconducteur. Pour ce faire, l'invention comprend : la formation, sur un substrat isolant, d'électrodes correspondant à une pluralité d'éléments semiconducteurs, la position d'une partie supérieure d'une électrode source et d'une électrode déversoir étant supérieure à celle d'une électrode grille ; la formation d'un film semiconducteur organique sur une surface d'une plaque de support isolante ; la formation de rainures dans le film semiconducteur organique pour former des régions divisées correspondant à chaque élément semiconducteur individuel ; et l'alignement ainsi que l'empilement l'un sur l'autre de la plaque de support isolante et du substrat isolant.
(JA) 簡易な工程および高い生産性で、複数の有機半導体素子を有する半導体装置を製造できる製造方法および半導体装置を提供する。絶縁性基板の上に、ソース電極およびドレイン電極の最上部の位置がゲート電極よりも高い、複数の半導体素子に対応する電極を形成すると共に、絶縁性支持板の表面に有機半導体膜を形成し、さらに、有機半導体膜に溝を形成することで、個々の半導体素子に応じた分割領域を形成して、絶縁性支持体と絶縁性基板とを位置合せして積層することにより、この課題を解決する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)