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1. (WO2016042954) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/042954    国際出願番号:    PCT/JP2015/072916
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 13.08.2015
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: ONOZAWA, Yuichi; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
優先権情報:
2014-189475 17.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)An n-type field stop layer comprises first to fourth n-type layers (10a to 10d) having peak carrier concentrations Cnpk1 to Cnpk4 at differing depths, wherein the first n-type layer (10a), which is closest to the collector side, has the highest peak carrier concentration Cnpk1. The peak carrier concentration Cppk of a p+-type collector layer (9) is at least 5 times the carrier concentration Cn1a at the boundary (12a) of the first n-type layer (10a) with the p+-type collector layer (9). The carrier concentration distribution gradient of a portion (22) of the first n-type layer (10a) from the peak position (20a) to the collector side is steeper than the gradient of the tail portion of the second to fourth n-type layers (10b to 10d). The carrier concentration Cn1a at the boundary (12a) between the first n-type layer (10a) and the p+-type collector layer (9) is less than or equal to the carrier concentration Cn2 at the boundary (12b) between the first n-type layer (10a) and the tail portion of the second n-type layer (10b). As a result, variability in the on-voltage can be reduced.
(FR)Une couche d'arrêt de champ de type N comprend des première à quatrième couches de type N (10a à 10d) ayant des concentrations de porteurs de crête Cnpk1 à Cnpk4 à différentes profondeurs, laquelle première couche de type N (10a), qui est la plus proche du côté collecteur, a la plus haute concentration de porteurs de crête Cnpk1. La concentration de porteurs de crête Cppk d'une couche de collecteur de type P+ (9) est d'au moins 5 fois la concentration de porteurs Cn1a au niveau de la limite (12a) de la première couche de type N (10a) avec la couche de collecteur de type P+ (9). Le gradient de distribution de concentration de porteurs d'une partie (22) de la première couche de type N (10a) de la position de crête (20a) au côté collecteur est plus raide que le gradient de la partie de queue des deuxième à quatrième couches de type N (10b à 10d). La concentration de porteurs Cn1a au niveau de la limite (12a) entre la première couche de type N (10a) et la couche de collecteur de type P+ (9) est inférieure ou égale à la concentration de porteurs Cn2 au niveau de la limite (12b) entre la première couche de type N (10a) et la partie de queue de la deuxième couche de type N (10b). En conséquence, la variabilité de la sur-tension peut être réduite.
(JA) n型フィールドストップ層は異なる深さにキャリアピーク濃度Cnpk1~Cnpk4を有する第1~4n型層(10a~10d)からなり、最もコレクタ側の第1n型層(10a)のキャリアピーク濃度Cnpk1が最も高い。p+型コレクタ層(9)のキャリアピーク濃度Cppkは、第1n型層(10a)の、p+型コレクタ層(9)との境界(12a)のキャリア濃度Cn1aの5倍以上である。第1n型層(10a)の、ピーク位置(20a)からコレクタ側の部分(22)のキャリア濃度分布の勾配は、第2~4n型層(10b~10d)のテール部の勾配よりも急峻である。第1n型層(10a)の、p+型コレクタ層(9)との境界(12a)のキャリア濃度Cn1aは、第1n型層(10a)と第2n型層(10b)のテール部との境界(12b)のキャリア濃度Cn2以下である。これにより、オン電圧のばらつきを小さくすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)