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1. (WO2016042841) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/042841    国際出願番号:    PCT/JP2015/064471
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 20.05.2015
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: ASANO, Naoki; .
HIEDA, Takeshi; .
OKAMOTO, Chikao; .
HIGASHI, Kenichi;
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2014-189945 18.09.2014 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
要約: front page image
(EN)This photoelectric conversion element is provided with: a first conductivity-type or second conductivity-type semiconductor substrate (1); and a first conductivity-type amorphous semiconductor film (3) and a second conductivity-type amorphous semiconductor film (5), which are provided on one side of the semiconductor substrate (1). On the first conductivity-type amorphous semiconductor film (3), a first electrode (11) is provided, and on the second conductivity-type amorphous semiconductor film (5), a second electrode (12) is provided. An overlapping region (21) is provided, said overlapping region being a region where an end portion of the first conductivity-type amorphous semiconductor film (3) and an end portion of the second conductivity-type amorphous semiconductor film (5) overlap each other. The width Wg of a gap region (22) between the first electrode (11) and the second electrode (12) is larger than the width Wo of the overlapping region (21), said first electrode and second electrode being adjacent to each other. The width Wg of the gap region (22) is equal to or less than 120 μm or the area ratio of the gap region (22) is equal to or less than 16 %.
(FR)La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui est pourvu : d'un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité ou d'un second type de conductivité; d'un film semi-conducteur amorphe du premier type de conductivité (3) et d'un film semi-conducteur amorphe du second type de conductivité (5), qui sont disposés sur un même côté du substrat semi-conducteur (1). Une première électrode (11) est disposée sur le film semi-conducteur amorphe du premier type de conductivité (3) et une seconde électrode (12) est disposée sur le film semi-conducteur amorphe du second type de conductivité (5). Une région de chevauchement (21) est ménagée, ladite région de chevauchement étant une région dans laquelle une partie d'extrémité du film semi-conducteur amorphe du premier type de conductivité (3) et une partie d'extrémité du film semi-conducteur amorphe du second type de conductivité (5) se chevauchent. La largeur Wg d'une région d'écartement (22) entre la première électrode (11) et la seconde électrode (12) est plus grande que la largeur Wo de la région de chevauchement (21), lesdites première électrode et seconde électrode étant adjacentes l'une à l'autre. La largeur Wg de la région d'écartement (22) est inférieure ou égale à 120 μm ou la proportion de surface de la région d'écartement (22) est inférieure ou égale à 16 %.
(JA)光電変換素子は、第1導電型または第2導電型の半導体基板(1)と、半導体基板(1)の一方の側に設けられた第1導電型非晶質半導体膜(3)と第2導電型非晶質半導体膜(5)とを備えている。第1導電型非晶質半導体膜(3)上には第1電極(11)が設けられ、第2導電型非晶質半導体膜(5)上には第2電極(12)が設けられている。第1導電型非晶質半導体膜(3)の端部と第2導電型非晶質半導体膜(5)の端部とが重なっている領域である重なり領域(21)が設けられている。隣り合う第1電極(11)と第2電極(12)との間のギャップ領域(22)の幅Wgが重なり領域(21)の幅Woよりも広くなっている。ギャップ領域(22)の幅Wgが120μm以下またはギャップ領域(22)の面積率が16%以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)