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1. (WO2016042738) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/042738    国際出願番号:    PCT/JP2015/004569
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 08.09.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
発明者: SAIKAKU, Hirotaka; (JP).
SAKAKIBARA, Jun; (JP).
MIZUNO, Shoji; (JP).
TAKEUCHI, Yuichi; (JP)
代理人: KIN, Junhi; (JP)
優先権情報:
2014-187946 16.09.2014 JP
2015-110167 29.05.2015 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A silicon carbide semiconductor device of the present invention comprises: a substrate (1); a drift layer (2) which is above the substrate; a base region (4) which is above the drift layer; a plurality of source regions (5) in the upper layer section of the base region; a contact region (6) between the source regions in the upper layer section of the base region; a plurality of trenches (7) formed from the surface of the source regions to a location which is deeper than the base region; a gate electrode (9) which is above a gate insulation film within the trenches; a source electrode (10) connected to the source regions and the contact regions; a drain electrode (12) on the back of the substrate; and a plurality of field relaxing layers (3) between the trenches within the drift layer. Each of the plurality of field relaxing layers has a first region (3a) deeper than the trenches and a second region (3b) formed from the surface of the drift layer to the first region.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium qui comprend : un substrat (1) ; une couche de migration (2) qui se trouve au-dessus du substrat ; une zone de base (4) qui se trouve au-dessus de la couche de migration ; une pluralité de zones de source (5) dans la partie couche supérieure de la zone de base ; une zone de contact (6) entre les zones de source dans la partie couche supérieure de la zone de base ; une pluralité de tranchées (7) formées à partir de la surface des zones de source jusqu'à un emplacement qui est plus profond que la zone de base ; une électrode de grille (9) qui se trouve au-dessus d'un film d'isolation de grille dans les tranchées ; une électrode de source (10) connectée aux zones de source et aux zones de contact ; une électrode de drain (12) sur l'arrière du substrat ; et une pluralité de couches de relaxation de champ (3) entre les tranchées à l'intérieur de la couche de migration. La pluralité de couches de relaxation de champ comprennent chacune une première zone (3a) plus profonde que les tranchées et une seconde zone (3b) formée de la surface de la couche de migration à la première zone.
(JA) 炭化珪素半導体装置は、基板(1)と、前記基板の上のドリフト層(2)と、前記ドリフト層の上のベース領域(4)と、前記ベース領域の上層部の複数のソース領域(5)と、前記ベース領域の上層部において、前記ソース領域の間のコンタクト領域(6)と、前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深くまで形成された複数のトレンチ(7)と、前記トレンチ内のゲート絶縁膜の上のゲート電極(9)と、前記ソース領域および前記コンタクト領域に接続されたソース電極(10)と、前記基板の裏面のドレイン電極(12)と、前記ドリフト層内の前記トレンチの間の複数の電界緩和層(3)とを有する。前記複数の電界緩和層は、前記トレンチよりも深い第1領域(3a)と、前記ドリフト層の表面から前記第1領域まで形成された第2領域(3b)とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)