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1. (WO2016042667) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/042667    国際出願番号:    PCT/JP2014/074881
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 19.09.2014
IPC:
C23F 1/38 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: YAMANAKA, Nobuaki; (JP).
CHIKAMORI, Daisuke; (JP).
KATSUKI,Shinichirou; (JP)
代理人: TAKADA, Mamoru; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing semiconductor devices is provided with a preparation step, a flow step, and a treatment step. In the preparation step, a liquid in which titanium has been dissolved beforehand in an ammonia hydrogen peroxide solution before being used for etching is prepared as an etching solution. In the flow step, flow of the etching solution is performed after the preparation step to make the concentration of the etching solution in a treatment tank homogeneous. In the treatment step, after the flow step is started, a semiconductor wafer provided with a metal film is placed inside the treatment tank to etch the metal film with the etching solution. It is preferable that the metal film is titanium and it is preferable that the temperature of the etching solution is made to be uniform during the treatment step using a measuring means for measuring the temperature of the etching solution.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteur comprenant une étape de préparation, une étape d'écoulement et une étape de traitement. Dans l'étape de préparation, un liquide, dans lequel le titane a été dissous au préalable dans une solution de peroxyde d'hydrogène d'ammoniac avant d'être utilisé pour le gravage est préparé sous la forme d'une solution de gravage. Dans l'étape d'écoulement, l'écoulement de la solution de gravage est effectué après l'étape de préparation pour rendre la concentration en la solution de gravage dans un réservoir de traitement homogène. Dans l'étape de traitement, après que l'étape d'écoulement est lancée, une tranche de semi-conducteur pourvue d'un film métallique est placée à l'intérieur de la cuve de traitement pour graver le film métallique avec la solution de gravage. Il est préférable que le film métallique soit en titane et il est préférable que la température de la solution de gravage soit amenée à être uniforme pendant l'étape de traitement à l'aide d'un moyen de mesure destiné à mesurer la température de la solution de gravage.
(JA) 半導体装置の製造方法は、準備工程と、流動工程と、処理工程とを備える。準備工程は、エッチング使用前のアンモニア過水液に予めチタンを溶かした液体をエッチング液として準備する。流動工程は、前記準備工程の後に、前記処理槽の中での前記エッチング液の濃度を均一にするように、前記エッチング液の流動を行う。処理工程は、前記流動工程を開始した後に、金属膜を備えた半導体ウェハを前記処理槽内に入れることで、前記エッチング液で前記金属膜をエッチングする。前記金属膜がチタンであることが好ましく、前記エッチング液の温度を計測する計測手段を用いて前記処理工程中に前記エッチング液の温度を均一にすることが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)