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1. (WO2016042663) 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/042663    国際出願番号:    PCT/JP2014/074869
国際公開日: 24.03.2016 国際出願日: 19.09.2014
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
発明者: NODA Takaaki; (JP).
NOHARA Shingo; (JP).
KONNO Kotaro; (JP).
SAWADA Motoshi; (JP).
TAKAGI Kosuke; (JP).
HANASHIMA Takeo; (JP).
SUEYOSHI Mamoru; (JP)
代理人: POLAIRE I.P.C.; 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
要約: front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method includes (a) a step for vertically arranging and storing a plurality of substrates in a processing container, and for forming a condition in which at least an upper region or a lower region relative to a substrate disposing region where the plurality of substrates are arranged is blocked off by an adaptor, and (b) a step for, while maintaining the condition, forming films on the plurality of substrates, respectively, by performing a cycle including the following steps a predetermined number of times in a non-simultaneous manner: (b1) a step for supplying a source gas to the plurality of substrates in the processing container from the side of the substrate disposing region; (b2) a step for discharging the source gas from the interior of the processing container via exhaust piping; (b3) a step for supplying a reaction gas to the plurality of substrates in the processing container from the side of the substrate disposing region; and (b4) a step for discharging the reaction gas from the interior of the processing container via the exhaust piping.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur qui comprend (a) une étape consistant à disposer une pluralité de substrats dans un récipient de traitement, de manière qu'ils soient agencés dans la direction verticale, et à former un état dans lequel au moins l'une ou l'autre d'une région supérieure et d'une région inférieure par rapport à une région de disposition de substrats où la pluralité de substrats sont agencés est obstruée par un adaptateur, et (b) une étape consistant, tout en maintenant l'état, à former des films sur la pluralité de substrats, respectivement, par exécution d'un cycle comprenant les étapes suivantes un nombre prédéterminé de fois d'une manière non simultanée : (b1) une étape consistant à alimenter en gaz source la pluralité de substrats dans le récipient de traitement depuis le côté latéral de la région de disposition de substrats; (b2) une étape consistant à éliminer le gaz source de l'intérieur du récipient de traitement par l'intermédiaire d'une conduite d'évacuation; (b3) une étape consistant à alimenter en gaz de réaction la pluralité de substrats dans le récipient de traitement depuis le côté latéral de la région de disposition de substrats; et (b4) une étape consistant à éliminer le gaz de réaction de l'intérieur du récipient de traitement par l'intermédiaire de la conduite d'évacuation.
(JA)半導体装置の製造方法は、(a)処理容器内に複数枚の基板を垂直方向に配列して収容するとともに、複数枚の基板が配列された基板配列領域よりも上方の領域および下方の領域のうち少なくともいずれかの領域の空間をアダプタで塞いだ状態を形成する工程と、(b)その状態を維持しつつ、(b1)処理容器内における基板配列領域の側方から複数枚の基板に対して原料ガスを供給する工程と、(b2)処理容器内から排気管を介して原料ガスを排気する工程と、(b3)処理容器内における基板配列領域の側方から複数枚の基板に対して反応ガスを供給する工程と、(b4)処理容器内から前記排気管を介して前記反応ガスを排気する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、複数枚の基板上に膜を形成する工程と、を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)