WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016039442) 封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039442    国際出願番号:    PCT/JP2015/075837
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 11.09.2015
IPC:
H01L 33/52 (2010.01), C08K 3/00 (2006.01), C08L 83/05 (2006.01), C08L 83/07 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 33/50 (2010.01)
出願人: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimo-hozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
発明者: MITA, Ryota; (JP).
MATSUDA, Hirokazu; (JP)
代理人: OKAMOTO, Hiroyuki; (JP)
優先権情報:
2014-186815 12.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEALING-LAYER-COVERED PHOTOSEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD AND PHOTOSEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT PHOTO-SEMI-CONDUCTEUR RECOUVERT D'UNE COUCHE D'ÉTANCHÉITÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PHOTO-SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)This sealing-layer-covered photosemiconductor element production method is a method for producing a sealing-layer-covered photosemiconductor element comprising a photosemiconductor element and a sealing layer covering the photosemiconductor element. This sealing-layer-covered photosemiconductor element production method comprises: the step of preparing a press equipped with a first mold shaped as a flat plate, and a second mold shaped as a flat plate, which is to be disposed opposite to the first mold; the step of disposing in the press a control member for controlling the movement of the first mold and/or the second mold in the pressing direction of the press beyond the pressing position corresponding to the designed thickness of the sealing layer; the step of disposing between the first mold and the second mold a sealing member comprising a release layer and a sealing layer in the B stage disposed on the release layer surface, in such a manner that the sealing layer faces the second mold; the step of disposing a barrier member corresponding to the external shape of the sealing layer, in such a manner as to surround the sealing layer when projected in the pressing direction; the step of disposing, between the first mold and the second mold, on the second mold side with respect to the sealing member, an element member comprising a substrate and a photosemiconductor element disposed on the substrate surface, in such a manner that the photosemiconductor element faces the first mold; and the step of bringing the first mold and the second mold close to one another to position the first mold and/or the second mold at the pressing position and cover the photosemiconductor element with the sealing layer.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un élément photo-semi-conducteur, recouvert d'une couche d'étanchéité, qui est un procédé de fabrication d'un élément photo-semi-conducteur, recouvert d'une couche d'étanchéité, comportant un élément photo-semi-conducteur et une couche d'étanchéité recouvrant l'élément photo-semi-conducteur. Le procédé de fabrication d'un élément photo-semi-conducteur, recouvert d'une couche d'étanchéité, comprend les étapes suivantes : la préparation d'une presse équipée d'un premier moule en forme de plaque plate et d'un second moule en forme de plaque plate, devant être disposé à l'opposé du premier moule; la disposition, dans la presse, d'un élément de commande afin de commander le déplacement du premier moule et/ou du second moule dans la direction de pressage de la presse au-delà de la position de pressage correspondant à l'épaisseur désignée de la couche d'étanchéité; la disposition, entre le premier moule et le second moule, d'un élément d'étanchéité comportant une couche anti-adhésive et une couche d'étanchéité dans l'étage B disposé sur la surface de couche anti-adhésive, d'une telle manière que la couche d'étanchéité est tournée vers le second moule; la disposition d'un élément de barrière correspondant à la forme externe de la couche d'étanchéité, de façon à entourer la couche d'étanchéité lorsqu'elle fait saillie dans la direction de pressage; la disposition, entre le premier moule et le second moule, sur le côté du second moule par rapport à l'élément d'étanchéité, d'un élément d'élément comprenant un substrat et un élément photo-semi-conducteur disposé sur la surface de substrat, d'une telle manière que l'élément photo-semi-conducteur est tourné vers le premier moule; le rapprochement du premier moule et du second moule l'un de l'autre afin de positionner le premier moule et/ou le second moule au niveau de la position de pressage et de recouvrir l'élément photo-semi-conducteur avec la couche d'étanchéité.
(JA) 封止層被覆光半導体素子の製造方法は、光半導体素子と、光半導体素子を被覆する封止層とを備える封止層被覆光半導体素子の製造方法である。封止層被覆光半導体素子の製造方法は、平板状の第1金型と、第1金型に対向配置するための平板状の第2金型とを備えるプレスを準備する工程、封止層の設計厚みに対応するプレス位置を超えるプレスのプレス方向における第1金型および/または第2金型の移動を規制するための規制部材をプレスに配置する工程、剥離層と、剥離層の表面に配置されるBステージの封止層とを備える封止部材を、第1金型および第2金型の間に、封止層が第2金型に向かうように、配置する工程、封止層の外形形状に対応する堰部材を、プレス方向に投影したときに封止層を囲むように、配置する工程、基材と、基材の表面に配置される光半導体素子とを備える素子部材を、第1金型および第2金型の間であって、封止部材に対する第2金型側に、光半導体素子が第1金型に向かうように、配置する工程、および、第1金型および第2金型を近接させて、第1金型および/または第2金型をプレス位置に位置させて、光半導体素子を封止層により被覆する工程を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)