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1. (WO2016039253) 半導体磁器組成物の製造方法、半導体磁器組成物、並びにPTC素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039253    国際出願番号:    PCT/JP2015/075111
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 03.09.2015
IPC:
C04B 35/468 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01)
出願人: HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 2-70, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088224 (JP)
発明者: UEDA Itaru; (JP).
SHIMADA Takeshi; (JP).
INO Kentaro; (JP).
TERAKADO Yutaro; (JP)
代理人: SHIN-EI PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2014-183887 10.09.2014 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, AND PTC ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COMPOSITION DE CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE, COMPOSITION DE CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE ET ÉLÉMENT CTP
(JA) 半導体磁器組成物の製造方法、半導体磁器組成物、並びにPTC素子
要約: front page image
(EN) The purpose of the present invention is to provide a manufacturing method whereby the temperature coefficient of resistance α can be enhanced in a semiconductor ceramic composition having a composition in which a portion of Ba is substituted with Bi-Na, for example. A method for manufacturing a semiconductor ceramic composition having a composition in which a portion of the Ba in a BaTiO3-based oxide is substituted with Bi and A (A being at least one type of alkali metal element necessarily including Na), the method characterized by having a temperature reduction process for firing at a temperature of more than 1350°C and then starting temperature reduction at a temperature reduction rate of 150°C/h or less, then changing to a temperature reduction rate of more than 150°C/h in a temperature range of 1150°C to 1350°C.
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication, le coefficient de résistance thermique α pouvant être amélioré dans une composition céramique semi-conductrice présentant une composition dans laquelle une partie de Ba est substituée par Bi-Na par exemple. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une composition de céramique semi-conductrice présentant une composition dans laquelle une partie de Ba dans un oxyde à base de BaTiO3 est substituée par Bi et A (A étant au moins un type d'élément de métal alcalin comprenant nécessairement Na), le procédé étant caractérisé en ce qu'il présente un procédé de réduction de température pour une cuisson à une température de plus de 1350°C et il commence ensuite la réduction de température à une vitesse de réduction de la température à 150°C/h ou moins, puis il passe à une vitesse de réduction de la température de plus de 150°C/h dans une plage de température de 1150°C à 1350°C.
(JA) Baの一部を例えばBi-Naで置換した組成を有する半導体磁器組成物において抵抗温度係数αを向上することが可能な製造方法を提供することを目的とする。 BaTiO3系酸化物におけるBaの一部をBiおよびA(Aはアルカリ金属の少なくとも一種の元素であってNaを必須で含む)で置換した組成を有する半導体磁器組成物の製造方法であって、1350℃超の温度で焼成した後、150℃/h以下の降温速度で降温を始め、その後、1150℃以上1350℃以下の範囲の間で150℃/h超の降温速度に変える降温過程を有することを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)