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1. (WO2016039223) 構造体及びその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039223    国際出願番号:    PCT/JP2015/074853
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 01.09.2015
H05K 1/11 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/32 (2006.01), H05K 3/40 (2006.01)
出願人: DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-1-1, Ichigaya Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo 1628001 (JP)
発明者: ASANO Masaaki; (JP).
MAWATARI Hiroshi; (JP).
OKAMURA Takafumi; (JP)
代理人: TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.; Sonpo Japan Kamata Building 9F, 5-24-2 Kamata, Ota-ku, Tokyo 1440052 (JP)
2014-183400 09.09.2014 JP
(JA) 構造体及びその製造方法
要約: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a structural body for effectively discharging a gas component and the like generated from a conductive material to the outside without complicating the manufacturing process. The structural body of the present invention is provided with: an insulating substrate equipped with a first surface and a second surface facing the first surface; a through-hole passing through the first and second surfaces of the substrate; and a through-electrode disposed inside the through-hole so as to provide conduction between the first and second surfaces of the substrate, the through-electrode having a projection exposed outside the through-hole on the second surface and including a conductive material. The through-hole has an opening area that is gradually increased toward the second surface in at least a part of the substrate in a thickness direction thereof, and includes a hollow portion forming a gap between the through-electrode and the through-hole.
(FR)L'invention a pour objet de fournir une structure destinée à émettre en sortie de manière efficace vers une partie externe un composant gazeux, ou similaire, généré par un matériau conducteur. La structure de l'invention est équipée : d'un substrat isolant à son tour équipé d'une première face ainsi que d'une seconde face opposée à la première face ; d'un orifice traversant qui traverse la première face ainsi que la seconde face du substrat ; et d'une électrode traversante qui est disposée à l'intérieur de l'orifice traversant et assure une conduction entre la première et la seconde face, qui possède une partie saillie exposée à l'extérieur de l'orifice traversant depuis la seconde face, et qui contient un matériau conducteur. L'orifice traversant possède une partie renfoncement telle que sa surface d'ouverture augmente graduellement à l'approche de la seconde face dans au moins une partie de la direction épaisseur du substrat, et telle qu'un interstice est formé entre elle et l'électrode traversante.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)