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1. (WO2016039211) 半導体装置、液晶表示装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039211    国際出願番号:    PCT/JP2015/074719
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 31.08.2015
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: KATOH Sumio; .
UEDA Naoki;
代理人: OKUDA Seiji; (JP)
優先権情報:
2014-184460 10.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、液晶表示装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a first metal layer including a gate electrode; a first insulating layer that is provided on the first metal layer; an oxide semiconductor layer that is provided on the first insulating layer; a second insulating layer that is provided on the oxide semiconductor layer; a second metal layer, which is provided on the oxide semiconductor layer and the second insulating layer, and which includes a source electrode; a third insulating layer that is provided on the second metal layer; and a first transparent electrode layer that is provided on the third insulating layer. The oxide semiconductor layer has: a first portion overlapping the gate electrode; and a second portion extending to traverse, from the first portion, a gate electrode edge on the drain electrode side. The third insulating layer does not include an organic insulating layer, and a first contact hole is formed in the second insulating layer and the third insulating layer, said first contact hole overlapping the second portion of the oxide semiconductor layer when viewed from the normal line direction of the substrate. The first transparent electrode layer includes a transparent conductive layer that is in contact with, in the first contact hole, the second portion of the oxide semiconductor layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu : d'une première couche métallique comprenant une électrode de grille; d'une première couche isolante qui est disposée sur la première couche métallique; d'une couche semi-conductrice d'oxyde qui est disposée sur la première couche isolante; d'une deuxième couche isolante qui est disposée sur la couche semi-conductrice d'oxyde; d'une seconde couche métallique, qui est disposée sur la couche semi-conductrice d'oxyde et sur la deuxième couche isolante, et qui comprend une électrode source; d'une troisième couche isolante qui est disposée sur la seconde couche métallique; et d'une première couche d'électrode transparente qui est disposée sur la troisième couche isolante. La couche semi-conductrice d'oxyde a : une première partie chevauchant l'électrode grille; et une seconde partie s'étendant de manière à traverser, à partir de la première partie, un bord d'électrode grille du côté électrode déversoir. La troisième couche isolante ne comprend pas de couche isolante organique, et un premier trou de contact est formé dans la deuxième couche isolante et la troisième couche isolante, ledit premier trou de contact chevauchant la seconde partie de la couche semi-conductrice d'oxyde lorsqu'il est vu dans la direction de la ligne perpendiculaire du substrat. La première couche d'électrode transparente comprend une couche conductrice transparente qui, dans le premier trou de contact, est en contact avec la seconde partie de la couche semi-conductrice d'oxyde.
(JA) 半導体装置は、ゲート電極を含む第1メタル層と、第1メタル層上に設けられた第1絶縁層と、第1絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に設けられた第2絶縁層と、酸化物半導体層および第2絶縁層上に設けられ、ソース電極を含む第2メタル層と、第2メタル層上に設けられた第3絶縁層と、第3絶縁層上に設けられた第1透明電極層とを備える。酸化物半導体層は、ゲート電極に重なる第1部分および第1部分からゲート電極のドレイン電極側のエッジを横切って延設された第2部分を有する。第3絶縁層は、有機絶縁層を含んでおらず、第2絶縁層および第3絶縁層には、基板の法線方向から見たときに酸化物半導体層の第2部分に重なる第1コンタクトホールが形成されている。第1透明電極層は、第1コンタクトホール内において酸化物半導体層の第2部分に接する透明導電層を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)