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1. (WO2016039177) 窒化物半導体積層体の製造方法および窒化物半導体積層体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039177    国際出願番号:    PCT/JP2015/074363
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 28.08.2015
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: TAJIRI, Masayuki; .
ITO, Nobuyuki; .
OGAWA, Atsushi; .
FUJISHIGE, Yohsuke; .
OKAZAKI, Mai; .
TOHSAKI, Manabu;
代理人: SAMEJIMA, Mutsumi; (JP)
優先権情報:
2014-183463 09.09.2014 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE STRATIFIÉ SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, ET STRATIFIÉ SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体積層体の製造方法および窒化物半導体積層体
要約: front page image
(EN)This method for producing a nitride semiconductor laminate comprises: a first nitride semiconductor layer formation step wherein a first nitride semiconductor layer (12) is formed on top of a substrate within a reactor; a second nitride semiconductor layer formation step wherein a second nitride semiconductor layer (13) is formed on top of the first nitride semiconductor layer (12); and a third nitride semiconductor layer formation step wherein a third nitride semiconductor layer (14), which has a larger band gap than the second nitride semiconductor layer (13), is formed on the upper surface of the second nitride semiconductor layer (13). The second nitride semiconductor layer formation step and the third nitride semiconductor layer formation step are carried out without interruption, and the third nitride semiconductor layer formation step follows the second nitride semiconductor layer formation step.
(FR)Ce procédé de production d'un stratifié de semi-conducteur au nitrure comprend : une première étape de formation de couche semi-conductrice au nitrure au cours de laquelle est formée une première couche semi-conductrice au nitrure (12) sur la partie supérieure d'un substrat dans un réacteur; une deuxième étape de formation de couche semi-conductrice au nitrure au cours de laquelle est formée une deuxième couche semi-conductrice au nitrure (13) sur la partie supérieure de la première couche semi-conductrice au nitrure (12); et une troisième étape de formation de couche semi-conductrice au nitrure au cours de laquelle une troisième couche semi-conductrice au nitrure (14), qui comporte une bande interdite plus large que la seconde couche semi-conductrice au nitrure (13), est formée sur la surface supérieure de la deuxième couche semi-conductrice au nitrure (13). La deuxième étape de formation de couche semi-conductrice au nitrure et la troisième étape de formation de couche semi-conductrice au nitrure sont effectuées sans interruption, et la troisième étape de formation de couche semi-conductrice au nitrure suit la deuxième étape de formation de couche semi-conductrice au nitrure.
(JA)窒化物半導体積層体の製造方法は、反応炉内で基板の上方に第1窒化物半導体層(12)を形成する第1窒化物半導体層形成工程と、第1窒化物半導体層(12)の上方に第2窒化物半導体層(13)を形成する第2窒化物半導体層形成工程と、第2窒化物半導体層(13)の上面に、第2窒化物半導体層(13)よりもバンドギャップが大きい第3窒化物半導体層(14)を形成する第3窒化物半導体層形成工程とを備える。第2窒化物半導体層形成工程と第3窒化物半導体層形成工程との間は中断されず、第3窒化物半導体層形成工程は第2窒化物半導体層形成工程に連続して実施される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)