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1. (WO2016039173) 固体撮像素子、撮像装置、電子機器、および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039173    国際出願番号:    PCT/JP2015/074353
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 28.08.2015
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: INOUE Susumu; (JP).
AKIYAMA Kentaro; (JP).
FUJIMAGARI Junichiro; (JP).
ISHIKAWA Keita; (JP).
OGI Jun; (JP).
TAGAWA Yukio; (JP).
NAKAMURA Takuya; (JP).
WAKIYAMA Satoru; (JP)
代理人: NISHIKAWA Takashi; (JP)
優先権情報:
2014-184857 11.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF D'IMAGERIE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子、撮像装置、電子機器、および半導体装置
要約: front page image
(EN)The present technology relates to a solid-state imaging element, imaging device, electronic device, and semiconductor device wherein a simple technique is employed such that underfill resin filled at areas where a substrate and a flip-chip are electrically connected can be prevented from spreading out and secondary damage due for example to electrical short-circuiting or contact with processing equipment can be prevented. A molding technique used for forming on-chip lenses is used to form a ring-like or rectangular dam surrounding an area of a lens material layer where a flip-chip is connected via solder bumps, said lens material layer being disposed on the top layer of a substrate of the solid-state imaging element in order to form on-chip lenses. Consequently, the underfill resin filled in the area where the substrate and the flip-chip are electrically connected together is confined therein. The present technique can be applied to a solid-state imaging element.
(FR)La présente technologie se rapporte à un élément d'imagerie à semiconducteur, à un dispositif d'imagerie, à un dispositif électronique, et à un dispositif à semiconducteur employant une technique simple de telle sorte qu'il est possible d'empêcher l'étalement de la résine de remplissage sous-jacent remplie au niveau de zones où un substrat et une puce à protubérances sont électriquement connectés et les dommages secondaires dus par exemple à un court-circuit électrique ou à un contact avec le matériel de traitement. Une technique de moulage utilisée pour former des lentilles sur puce est utilisée pour former un barrage rectangulaire ou en forme d'anneau entourant une zone d'une couche de matériau de lentille où une puce à protubérances est connectée par l'intermédiaire de bossages de soudure, ladite couche de matériau de lentille étant disposée sur la couche supérieure d'un substrat de l'élément d'imagerie à semiconducteur de manière à former des lentilles sur puce. Par conséquent, la résine de remplissage sous-jacent remplissant la zone où le substrat et la puce à protubérances sont électriquement connectés l'un à l'autre est confinée à l'intérieur de celle-ci. La présente technique peut s'appliquer à un élément d'imagerie à semiconducteur.
(JA) 本技術は、簡易な手法により、基板とフリップチップとを電気的に接続する部位に充填するアンダフィル樹脂がはみ出すのを防止すると共に、電気的なショートや加工設備への接触といった2次的な被害を防止できるようにする固体撮像素子、撮像装置、電子機器、および半導体装置に関する。 オンチップレンズを形成する際の成型技術を利用して、固体撮像素子の基板の上層に設けられたオンチップレンズを形成するために設けられたレンズ材質層のうち、フリップチップがはんだバンプを介して接続される範囲をリング状、または方形状に囲むようなダムを形成させる。これにより基板とフリップチップとが電気的に接続された範囲に充填されるアンダフィル樹脂を堰き止める。本技術は、固体撮像素子に適用することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)