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1. (WO2016039152) 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039152    国際出願番号:    PCT/JP2015/074134
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 27.08.2015
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), G02B 7/34 (2006.01), G03B 13/36 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: HATANO Keisuke; (JP).
KOGA Fumihiko; (JP).
YAMAGUCHI Tetsuji; (JP).
IZAWA Shinichiro; (JP)
代理人: NISHIKAWA Takashi; (JP)
優先権情報:
2014-183885 10.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR DRIVING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
要約: front page image
(EN)The present disclosure relates to a solid-state imaging device, method for driving the solid-state imaging device, and electronic device wherein phase difference signals using a photoelecetric conversion film are used so that auto-focusing accuracy can be improved. The solid-state imaging device has pixels, each including a photoelectric conversion part having a structure wherein a photoelectric conversion film is sandwiched from above and below by an upper electrode and a lower electrode. The upper electrode is divided into a first upper electrode and a second upper electrode. The present disclosure can be applied, for example, to a solid-state imaging device or the like.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, un procédé de commande du dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et un dispositif électronique, des signaux de différence de phase utilisant un film de conversion photoélectrique étant utilisés de telle sorte que la précision de mise au point automatique peut être améliorée. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs possède des pixels, chacun comprenant une partie de conversion photoélectrique ayant une structure dans laquelle un film de conversion photoélectrique est pris en sandwich depuis le dessus et le dessous par une électrode supérieure et une électrode inférieure. L'électrode supérieure est divisée en une première électrode supérieure et une seconde électrode supérieure. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs ou autre.
(JA) 本開示は、光電変換膜を用いた位相差信号を使用してオートフォーカス精度を向上させることができるようにする固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像装置は、光電変換膜を上部電極と下部電極により上下で挟む構造の光電変換部を含む画素を有している。上部電極は、第1上部電極と第2上部電極に分割されている。本開示は、例えば、固体撮像装置等に適用できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)