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1. (WO2016039074) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039074    国際出願番号:    PCT/JP2015/072912
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 13.08.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: HARADA, Yuichi; (JP).
HOSHI, Yasuyuki; (JP).
KINOSHITA, Akimasa; (JP).
OONISHI, Yasuhiko; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
優先権情報:
2014-183317 09.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: an N-type silicon carbide substrate (1); an N-type silicon carbide layer (2) that is formed on the front surface of the N-type silicon carbide substrate (1); a P-type region (3) that is selectively formed in the surface layer of the N-type silicon carbide layer (2); an N-type source region (4) that is formed within the P-type region (3); a P-type contact region (5) that is formed within the P-type region (3); a gate insulating film (6) that is formed on a region ranging from the N-type source region (4) to the N-type silicon carbide layer (2) via the P-type region (3); a gate electrode (7) that is formed on the gate insulating film (6); an interlayer insulating film (8) that covers the gate electrode (7); and a first source electrode (9) that is formed to be electrically connected to the surfaces of the P-type contact region (5) and the N-type source region (4). An end portion of the interlayer insulating film (8) that covers the gate electrode (7) has an inclination at a predetermined angle. Consequently, coverage of a metal electrode formed on the front surface side is able to be improved and variation in the characteristics is suppressed, thereby enabling improvement of reliability.
(FR)Le présent dispositif à semiconducteur est pourvu : d'un substrat de carbure de silicium de type N (1); d'une couche de carbure de silicium de type N (2) formée sur la surface avant du substrat de carbure de silicium de type N (1); d'une région de type P (3) formée sélectivement dans la couche de surface de la couche de carbure de silicium de type N (2); d'une région de source de type N (4) formée à l'intérieur de la région de type P (3); d'une région de contact de type P (5) formée à l'intérieur de la région de type P (3); d'un film d'isolation de grille (6) formé sur une région allant de la région de source de type N (4) à la couche de carbure de silicium de type N (2) en passant par la région de type P (3); d'une électrode grille (7) formée sur le film d'isolation de grille (6); d'un film d'isolation intercouche (8) qui recouvre l'électrode grille (7); et d'une première électrode source (9) formée pour être connectée électriquement aux surfaces de la région de contact de type P (5) et de la région de source de type N (4). Une partie d'extrémité du film d'isolation intercouche (8) qui recouvre l'électrode grille (7) est inclinée selon un angle prédéfini. Par conséquent, l'invention permet d'améliorer la couverture d'une électrode de métal formée du côté surface avant et supprime la variation des caractéristiques, ce qui permet d'améliorer la fiabilité.
(JA) N型の炭化珪素基板(1)と、N型炭化珪素基板(1)のおもて面側に形成されたN型炭化珪素層(2)と、N型炭化珪素層(2)の表面層に選択的に形成されたP型領域(3)と、P型領域(3)内に形成されたN型ソース領域(4)と、P型領域(3)内に形成されたP型コンタクト領域(5)と、N型ソース領域(4)からP型領域(3)を経由してN型炭化珪素層(2)に至る領域の上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、ゲート絶縁膜(6)上に形成されたゲート電極(7)と、ゲート電極(7)を覆う層間絶縁膜(8)と、P型コンタクト領域(5)およびN型ソース領域(4)の表面に電気的に接続するように形成された第1のソース電極(9)とを備え、ゲート電極(7)を覆う層間絶縁膜(8)の端部が所定角度の傾斜を有する。このようにすることで、おもて面側に形成する金属電極のカバレッジを改善でき、特性変動を抑制し信頼性を向上できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)