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1. (WO2016039073) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039073    国際出願番号:    PCT/JP2015/072911
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 13.08.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: HARADA, Yuichi; (JP).
HOSHI, Yasuyuki; (JP).
KINOSHITA, Akimasa; (JP).
OONISHI, Yasuhiko; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
優先権情報:
2014-182769 08.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a low-concentration N-type SiC layer (2) that is formed on the front surface side of an N-type SiC substrate (1); a P-type region (3) that is selectively formed in a surface layer of the SiC layer; an N-type source region (4) and a high-concentration P-type contact region (5), which are formed in the P-type region (3); a gate insulating film (6) that is formed on a region extending to the N-type SiC layer (2) from the N-type source region (4) via the P-type region (3); a gate electrode (7) that is formed on the gate insulating film (6); an insulating film (8) covering the gate electrode (7); a source electrode (11) electrically connected to the surface of the P-type contact region (5) and the surface of the N-type source region (4); and a drain electrode (12) that is formed on the rear surface side of the N-type SiC substrate (1). On a first barrier film (10) covering the insulating film (8), and on a second barrier film (31) that is provided on a gate contact hole section, metal electrodes (11, 23) are formed, respectively. Consequently, the gate contact can be excellently formed.
(FR)Ce dispositif à semi-conducteur comprend : une couche SiC de type N (2) à faible concentration qui est formée sur le côté de surface avant d'un substrat SiC de type N (1); une région de type P (3) qui est formée de manière sélective dans une couche de surface de la couche SiC; une région de source de type N (4) et une région de contact de type P (5) à concentration élevée, qui sont formées dans la région de type P (3); un film d'isolation de grille (6) qui est formé sur une région s'étendant vers la couche SiC de type N (2) depuis la région de source de type N (4) via la région de type P (3); une électrode de grille (7) qui est formée sur le film d'isolation de grille (6); un film isolant (8) recouvrant l'électrode de grille (7); une électrode de source (11) connectée électriquement à la surface de la région de contact de type P (5) et à la surface de la région de source de type N (4); une électrode de source (11) connectée électriquement à la surface de la région de contact de type P (5) et à la surface de la région de source de type N (4); Sur un premier film barrière (10) recouvrant le film isolant (8), et sur un second film barrière (31) qui est disposé sur une section de trou de contact de grille, des électrodes métalliques (11, 23) sont formées, respectivement. Par conséquent, le contact de grille peut être formé de manière excellente.
(JA) N型SiC基板(1)のおもて面側に形成される低濃度のN型SiC層(2)と、その表面層に選択的に形成されたP型領域(3)と、P型領域(3)内に形成されたN型ソース領域(4)と高濃度のP型コンタクト領域(5)と、N型ソース領域(4)からP型領域(3)を経由してN型SiC層(2)に至る領域の上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、ゲート絶縁膜(6)上に形成されたゲート電極(7)と、ゲート電極(7)を覆う絶縁膜(8)と、P型コンタクト領域(5)およびN型ソース領域(4)の表面に電気的に接続するソース電極(11)と、N型SiC基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(12)を備えており、絶縁膜(8)を覆う第1のバリア膜(10)と、ゲートコンタクトホール部分に設けた第2のバリア膜(31)との上に、それぞれ金属電極(11,23)を形成する。このようにすることで、ゲートコンタクトを良好にできる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)