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1. (WO2016039071) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039071    国際出願番号:    PCT/JP2015/072909
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 13.08.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: KINOSHITA, Akimasa; (JP).
HOSHI, Yasuyuki; (JP).
HARADA, Yuichi; (JP).
OONISHI, Yasuhiko; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
優先権情報:
2014-182767 08.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device has, on the front surface side of an N-type silicon carbide substrate (1), an N-type silicon carbide layer (2), a P-type region (3), an N-type source region (4), a P-type contact region (5), a gate insulating film (6), a gate electrode (7), and a source electrode (8). The semiconductor device has a drain electrode (9) on the rear surface of the N-type silicon carbide substrate (1). The semiconductor device has a lifetime killer-introduced region (10) at least on the whole interface between the N-type silicon carbide layer (2) and the bottom surface of the P-type region (3), said lifetime killer-introduced region having a lifetime killer introduced therein. The lifetime killer is introduced into the whole interface between the N-type silicon carbide layer (2) and the bottom surface of the P-type region (3) by injecting helium or protons from the rear surface side of the N-type silicon carbide substrate (1) before providing the drain electrode (9), after manufacturing the surface structure of an element on the front surface side of the N-type silicon carbide substrate (1). Consequently, a reverse recovery loss of a PN diode integrated in the semiconductor device can be reduced.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui possède, sur le côté de surface avant d'un substrat au carbure de silicium de type N (1), une couche de carbure de silicium de type N (2), une région de type P (3), une région de source de type N (4), une région de contact de type P (5), un film d'isolation de grille (6), une électrode de grille (7) et une électrode source (8). Le dispositif à semi-conducteurs possède une électrode déversoir (9) sur la surface arrière du substrat au carbure de silicium de type N (1). Le dispositif à semi-conducteurs possède une région introduite par un réducteur de durée de vie (10) au moins sur l'interface globale entre la couche de carbure de silicium de type N (2) et la surface inférieure de la région de type P (3), et ladite région introduite par un réducteur de durée de vie ayant un réducteur de durée de vie introduit en son sein. Le réducteur de durée de vie est introduit dans l'interface globale entre la couche de carbure de silicium de type N (2) et la surface inférieure de la région de type P (3) par injection d'hélium ou de protons depuis le côté de surface arrière du substrat au carbure de silicium de type N (1) avant fourniture de l'électrode déversoir (9), après fabrication de la structure de surface d'un élément sur le côté de surface avant du substrat au carbure de silicium de type N (1). Par conséquent, une perte de recouvrement inverse d'une diode PN intégrée dans le dispositif à semi-conducteurs peut être réduite.
(JA) 半導体装置は、N型炭化珪素基板(1)のおもて面側にN型炭化珪素層(2)、P型領域(3)、N型ソース領域(4)、P型コンタクト領域(5)、ゲート絶縁膜(6)、ゲート電極(7)及びソース電極(8)を有する。半導体装置は、N型炭化珪素基板(1)の裏面にドレイン電極(9)を有する。半導体装置は、少なくともN型炭化珪素層(2)とP型領域(3)の底面との界面全体に、ライフタイムキラーを注入したライフタイムキラー導入領域(10)を有する。ライフタイムキラーは、N型炭化珪素基板(1)のおもて面側に素子の表面構造を作製した後、ドレイン電極(9)を設ける前に、N型炭化珪素基板(1)の裏面側からヘリウムまたはプロトンを注入することによって、N型炭化珪素層(2)とP型領域(3)の底面との界面全体に導入される。このようにすることで、半導体装置に内蔵されているPNダイオードの逆回復損失を低減することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)