WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016039032) シリコン基板の分析方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/039032    国際出願番号:    PCT/JP2015/071438
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 29.07.2015
IPC:
G01N 1/28 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
出願人: IAS INC. [JP/JP]; 4-39-5-916, Fujimidai, Kunitachi-shi, Tokyo 1860003 (JP)
発明者: KAWABATA, Katsuhiko; (JP).
HAYASHI, Takuma; (JP).
IKEUCHI, Mitsumasa; (JP)
代理人: TANAKA AND OKAZAKI; Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033 (JP)
優先権情報:
2014-185412 11.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SILICON SUBSTRATE ANALYSIS METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'ANALYSE DE SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) シリコン基板の分析方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a method that makes it possible to highly accurately detect trace metal or some other object of analysis included in a silicon substrate and carry out profile analysis of the concentration of the object of analysis in the substrate depth direction. The present invention relates to a silicon substrate analysis method having an oxidized layer formation step for supplying an oxygen gas including ozone and forming an oxidized layer on the surface of a silicon substrate and a recovery step for recovering the object of analysis using a substrate analysis nozzle. The substrate analysis nozzle is configured from a double tube structure and has a gas discharge means having the space between a nozzle main body and an outer tube as a gas discharge path. The recovery step is carried out while gas is discharged by the gas discharge means through the space between the nozzle main body and outer tube of the substrate analysis nozzle. The repetition one or more times of a single cycle of the oxidized layer formation step, the recovery step, and an arbitrary drying step results in the taking in by an analysis liquid of the object of analysis included in the depth direction of the substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé qui permet de détecter avec une grande précision un métal-trace ou un autre objet d'analyse inclus dans un substrat de silicium, et de réaliser une analyse de profil de la concentration de l'objet d'analyse dans la direction de profondeur de substrat. La présente invention concerne un procédé d'analyse de substrat de silicium ayant une étape de formation de couche oxydée pour fournir un gaz d'oxygène contenant de l'ozone et former une couche oxydée sur la surface d'un substrat de silicium, et une étape de récupération pour récupérer l'objet d'analyse à l'aide d'une buse d'analyse de substrat. La buse d'analyse de substrat est configurée à partir d'une structure à deux tubes et comporte un moyen d'évacuation de gaz ayant l'espace entre un corps principal de buse et un tube externe sous la forme d'une trajectoire d'évacuation de gaz. L'étape de récupération est réalisée lorsque le gaz est évacué par le moyen d'évacuation de gaz à travers l'espace entre le corps principal de buse et le tube externe de la buse d'analyse de substrat. La répétition une ou plusieurs fois d'un cycle unique de l'étape de formation de couche oxydée, de l'étape de récupération et d'une étape de séchage arbitraire permet la collecte d'un liquide d'analyse de l'objet d'analyse inclus dans la direction de profondeur du substrat.
(JA) 本発明は、シリコン基板中に含まれる微量金属等の分析対象物を高感度に検出可能としつつ、基板深さ方向における分析対象物の濃度をプロファイル分析可能とする方法を提供する。 本発明は、オゾンを含む酸素ガスを供給してシリコン基板表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、基板分析用ノズルを用いて分析対象物を回収する回収工程と、を有し、基板分析用ノズルは2重管で構成されノズル本体と外管との間を排気経路とする排気手段を有するものとし、回収工程は基板分析用ノズルのノズル本体と外管との間を排気手段により排気しながら行い、酸化膜形成工程と回収工程と任意の乾燥工程を1サイクルとして、1回以上繰返すことにより、基板深さ方向に含まれる分析対象物を分析液に取り込むシリコン基板の分析方法に関する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)